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通过水热法一步合成了BiVO4催化剂，并在氩气气氛下对BiVO4催化剂进行表面改性。通过SEM、TEM、XRD、XPS和PL对BiVO4催化剂进行分析表征，结果表明BiVO4催化剂及改性BiVO4催化剂为单斜状的晶体结构，且改性BiVO4催化剂表面含有大量的氧空位。相比BiVO4催化剂，氧空位BiVO4催化剂的价带由1.97 eV增加至2.13 eV，扩大了带隙，降低了电子和空穴的复合率。在抗生素磺胺甲唑(SMX)初始质量浓度为10 mg/L，考察了不同因素对氧空位BiVO4催化剂光催化降解SMX的影响，结果表明最佳反应条件为氧空位BiVO4催化剂投加量50 mg/L，反应温度35℃，光照度150 mW/cm2,pH 5.0～9.0。此外，研究表明氧空位BiVO4催化体系能够抵御水体中常见阴离子的干扰，但受到腐殖酸的抑制较为明... 相似文献
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