水热法制备In掺杂ZnO薄膜的表面形貌及其光学性质

采用水热法在ZnO籽晶层上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和室温光致发光谱.结果表明,In离子的掺入未改变薄膜的晶相结构,但抑制了ZnO晶粒的生长,使得ZnO的结晶度明显下降.随着In含量的增加,薄膜表面rms粗糙度和平均颗粒尺寸均逐渐减小,光学带隙Eg先增大后减小.所有薄膜的PL谱中均观察到405 nm左右的紫光发光带,研究了In掺杂量对紫光发光带的强度和峰位的影响,并对其紫光发射机理进行了探讨.     

球形CdSe纳米晶的制备及其光电性能

以Cd(NO3)2和Na2SeSO3的混合液为反应体系,采用液相法(绝氧环境)制备CdSe纳米晶.探讨了Cd与Se摩尔比、Na2EDTA用量、反应温度和反应时间等制备条件对样品在模拟太阳光下光电性能的影响.结果表明,当n (Cd) ∶n(Se)=6∶1时,加入25 mL0.16 mol/L Na2EDTA、在90℃下反应40 min所得CdSe纳米晶薄膜具有较高的光电压,其值约为0.387 7 V.X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)以及扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示,位于25.354°最强衍射峰(111)晶面和60.943°最弱衍射峰(400)晶面处的CdSe纳米晶粒尺寸分别为44.98 nm和17.82 nm;以Cd元素对CdSe进行归一化处理后,样品中Cd和Se元素原子数分数均为12.42％,质量分数分别为34.77％和24.42％;样品CdSe纳米晶体呈球形,分散均匀,直径约为100 nm.     

开放系统下非饱和季冻土分凝冻胀防治措施

随着西部大开发和振兴东北等重大区域性战略的实施,季冻土区土体的冻胀防治问题逐渐引起人们的关注。实际工程中冻胀主要发生在受季节性温度影响的非饱和土中,其防治措施的选择成为亟待解决的问题。分析总结了土体冻胀产生的原因与处理措施,从土体改良、控制温度、控制水分、改变基础形式等方向出发,简要评价了每种冻胀防治措施的利弊,指出将不同的方法择优组合应用是目前主要的研究方向。     

互穿聚氨酯-单畴液晶弹性相行为与力学性能

单畴液晶弹性体(mLCEs)在柔性机器人等诸多领域有着潜在的应用前景，其相行为和力学性能对其实际应用有着决定性的影响。针对基于m LCEs薄膜驱动器负载能力弱的问题，设计了一种含动态酰胺键的聚氨酯(PUR)和含聚乙二醇二丙烯酸酯(PEG250)的液晶聚合物的预聚体，通过物理交联制备出互穿型网络结构的PUR-mLCEs薄膜。核磁共振氢谱结构表征结果显示合成出含动态酰胺键的PUR，傅里叶变换红外光谱的结构表征结果显示聚合物分子链中形成具有氢键交联的互穿型网络结构。优化和探讨了含PEG250的mLCEs预聚体、PUR预聚体以及互穿型PUR-mLCEs的制备工艺参数，并通过差示扫描量热分析仪和拉力试验机对材料的各向同性转变温度(T_NI)、力学性能和相行为进行了表征和分析。结果表明，制备出PUR-mLCEs材料的T_NI降至56.8℃；在25～60℃工作温度范围内，断裂拉伸强度为15～10.7 MPa，降幅仅为28.9%。在500倍自身质量的负载下收缩率仍可达22.5%。在经过冷/热循环30次，其具有稳定的驱动性能。该PUR-mLCEs实现了在T