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采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度。研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3。采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理。讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理。 相似文献
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采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理. 相似文献
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在 Pb W O4 晶体中掺进 Gd2 O3,采用 Czochrolski法生长 Gd∶ Pb W O4 晶体。测试晶体的透射光谱,激光发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率。 Gd∶ Pb W O4 晶体的透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯 Pb W O4 晶体。 Gd∶ Pb W O4 晶体的吸收边紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率。 Gd3+ 掺入 Pb W O4 晶体中,抑制了 Pb3+ 的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力。 Gd∶ Pb W O4 晶体是比 Pb W O4 晶体性能更为优良的闪烁晶体。 相似文献
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