一维关联无序系统中电子态的研究

本文讨论了长程幂率关联对一维无序系统本征波函数,本征能量及并发纠缠的影响,并观察其是否能体现系统局域性的变化。结果表明只用并发纠缠这个测度足以反映空间关联的特性。还将DNA分子链作为关联安德森模型的例子,研究其准周期模型与无序模型的并发纠缠,并证明了并发纠缠与关联有类似性质,足以通过并发纠缠这个测度来反映关联的特性。     

纳米阵列膜磁性质的蒙特卡罗模拟

计算机的模型数字模拟是进行新一代超高密度磁记录材料的研究和开发的重要手段。本文介绍了利用蒙特卡罗方法研究纳米阵列膜的磁性质的基本思想、目前取得的主要结果、面临的问题和可能的解决办法。     

超高密度垂直磁记录材料研究进展

回顾了超高密度垂直磁记录介质的研究历史,综述了目前超高密度垂直磁记录介质的3种主要侯选材料:CoCr基薄膜,L10相颗粒薄膜和图纹结构材料的最新研究进展情况。     

单畴磁纳米颗粒磁矩快速翻转特性的研究

本文利用微磁学方法对立方体单畴磁纳米颗粒的磁矩翻转特性进行了模拟。研究了在只加翻转场时,单畴磁纳米颗粒的阻尼系数、外场对磁矩翻转的影响。结果表明不同参量情况下磁矩翻转所需时间不同,翻转时间长短,随着阻尼系数变化呈反比,随着外场变化呈反比。而对于最小翻转场来说,粒子尺度越小对其要求越大,阻尼系数越大对其要求越小。当固定阻尼系数时,如果外场远大于最小翻转场,不同体积大小的粒子翻转时间趋于一致,这说明外场很大时,粒子尺度影响可忽略。我们还研究了只加偏压场,但外场施加在不同方向时,单畴磁纳米颗粒的阻尼系数对磁矩翻转的影响。     

镶嵌纳米晶硅的氧化硅薄膜微观结构调整及其光吸收特性

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N_2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响。结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构。nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性。随着N_2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小。晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势。该实验结果为ncSi/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据。