软质聚氯乙烯材料蒸发残渣影响因素的探讨

研究了PVC树脂、增塑剂及填料对PVC垫片接触材料的蒸发残渣性能的影响。结果表明,聚合度越大的PVC树脂,制备的PVC垫片接触材料的蒸发残渣越小,且在正己烷浸泡介质条件下,不易采用种子乳液法的树脂。对于接触酸性食品应选择DX-360增塑剂及T4类填料,接触油性食品应选择ATBC增塑剂及T2类填料。     

La_2O_3对激光熔覆生物陶瓷涂层显微组织结构的影响

采用梯度激光熔覆技术在钛合金(TC4)基体表面制备生物陶瓷涂层,研究不同含量稀土氧化物La2O3的加入对生物陶瓷涂层显微组织结构的影响。结果表明,La2O3对合成HA和β-TCP具有明显的催化作用,在生物陶瓷涂层表面形成了白色球形颗粒状的类珊瑚状结构,涂层与基体实现了良好的冶金结合。     

烧结温度对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

为了获得高电位梯度氧化锌压敏电阻片,采用了传统陶瓷烧结工艺制备ZnO压敏电阻,研究不同烧结温度(1135~1155℃)对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验结果表明,随着烧结温度的增加,ZnO压敏陶瓷的晶粒尺寸增大,电位梯度降低且致密度提高。烧结温度为1135℃时,压敏电阻的电位梯度高达329V/mm,漏电流为8μA,致密度为96.4%。当烧结温度为1140℃时,压敏电阻的电位梯度为301V/mm,漏电流为4μA,致密度为96.6%。通过比较烧结温度为1135℃和1140℃的实验结果,发现烧结温度为1140℃时,ZnO压敏陶瓷的综合电性能达到最佳。     

纳米Bi_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响

为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电学性能进行表征。实验结果表明,随着纳米Bi_2O_3含量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度先升高后降低,漏电流变化不显著,非线性系数先增大后减小。当掺杂纳米Bi_2O_3摩尔分数为0.80%时,ZnO压敏电阻片的电学性能最佳。     

时效对激光熔覆Fe-Cu复合涂层的影响

采用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪分别对Fe-Cu激光熔覆涂层时效前后的组织和相结构进行分析,并利用显微硬度计测定了时效前后熔覆层的硬度分布。结果表明,Fe-Cu激光熔覆层为亚共晶组织,时效前后,其物相均由α-Fe、Cr23C6和Cr7C3组成,组织形貌并未改变。时效后从过饱和的α-Fe固溶体中析出了第二相,使涂层硬度得到提高。     

La_2O_3对激光熔覆生物陶瓷涂层生物活性的影响

采用梯度宽带激光熔覆技术在钛合金(TC4)基体表面制备生物陶瓷涂层,研究不同含量稀土氧化物La_2O_3的加入对浸泡在模拟体液(SBF)中的生物陶瓷涂层生物活性的影响。结果表明,稀土氧化物La_2O_3在激光熔覆生物陶瓷过程中具有诱导合成HA+β-TCP的作用,在模拟体液(SBF)中浸泡相同时间,当La_2O_3含量为0.6 wt%时,合成HA+β-TCP的数量最多,生物陶瓷涂层生物活性更好。