五磷酸钕(NdPP)晶体铁弹畴的特征

本文总结了五磷酸钕晶体中存在的各种铁弹畴的形态特征。用光学法和X射线形貌术研究了铁弹畴壁,指出它是具有一定宽度的面缺陷。计算了它对晶体双折射率梯度的影响,讨论了微型畴的成因,并研究了铁弹畴壁对激光输出能量的影响,指出使用时应选择c向激光棒。     

LiNdP4O12晶体的生长缺陷

报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ₄晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物．讨论了这些缺陷形成的原因。     

2,4-二-(5-甲氧基-2-噻唑基)吡啶的合成及其对Ag~+和pH值的荧光响应

以2,4-吡啶二甲酸为原料合成了2,4-二-(5-甲氧基-2-噻唑基)吡啶,并用红外光谱、核磁共振和质谱对其结构进行了表征.光谱研究表明,该化合物可作为Ag+和pH值(基于其在pH=1⁶的范围内的双发射响应行为)的比率荧光探针.     

LBO晶体的生长缺陷研究

采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ４的生长缺陷,对于改善它的性质和应用前景有很大的意义,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓ析缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴生产层,形界,位错和包裹物,了这些缺陷形成的原因。     

20%氟啶虫酰胺SC配方的研制

通过试验优化得到20%氟啶虫酰胺悬浮剂的最佳配方。20%氟啶虫酰胺悬浮剂配方为:氟啶虫酰胺20%、CF20S 2.0%、500LQ 1.0%、A788 1.0%、IP 1.0%、丙二醇4.0%、黄原胶0.2%、硅酸镁铝1.0%、防腐剂0.1%、有机硅消泡剂0.2%,水补足至100%。该悬浮剂热贮和冷贮后无分层、析晶及结块等现象,分解率和悬浮率均合格,产品其它指标符合悬浮剂的要求。室内生测和田间试验结果表明,该悬浮剂对苹果树蚜虫具有较好的速效性和持效性。     

40%苯醚甲环唑·吡唑醚菌酯SC配方的研制

通过正交优化法得到40%苯醚甲环唑·吡唑醚菌酯水悬浮剂的最佳配方,苯醚甲环唑20%,吡唑醚菌酯20%,D800 4.0%,D305 1.0%,T80 1.0%,增效剂B 3.0%,乙二醇3.0%,黄原胶0.1%,硅酸镁铝1.0%,有机硅消泡剂0.2%,水补足至100%。研究发现:立式砂磨机转速1 400 r/min,最佳研磨时间为2h;该悬浮剂在pH值6.0~7.0条件下热贮和冷贮14 d,均无析水、分层及结块等现象,分解率合格,倾倒性合格,产品各项指标符合悬浮剂的要求;针对黄瓜白粉病的防治效果发现,添加增效剂B药剂防效最好,达到95%以上。     

磷酸铝晶体中双晶的研究

磷酸铝晶体中存在两类双晶:电双晶和光双晶。本文用光学方法和X射线形貌术研究了这两类双晶的形态、分布规律、形成原因及消除双晶的途径。