薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

CoFeZrRE磁性薄膜微波电磁特性研究

研究在微波段具有高磁导率和大磁损耗的CoFeZrRE薄膜,采用射频磁控溅射工艺制备该类薄膜,探讨了工艺参数和薄膜厚度对CoFeZrRE薄膜结构和电磁性能的影响.重点研究了掺杂稀土元素的含量和种类对薄膜磁各向异性、饱和磁化强度等基本磁参量以及微波磁导率和磁损耗的影响.结果表明,重稀土元素（如Dy,Tb）提高微波磁损耗的效果更显著;CoFeZrRE类薄膜具有较高的微波磁导率和磁损耗（2 GHz处,μ＇和μ＂均高于200）,有望在微波吸收和抗电磁干扰领域获得广泛应用.     

应用于高功率密度DC/DC变换器的铁氧体材料

高功率密度DC/DC变换器广泛应用于各种电子系统,对应用于其中的铁氧体材料提出了新的要求.分析了国内外DC/DC变换器的新近研究,总结了应用于这些高功率密度DC/DC变换器系统中的铁氧体磁性材料的主要特性,为结合实际需求进行高频低损耗铁氧体材料研发提供参考.     

非晶磁性材料的磁阻抗(MI)效应

介绍了非晶磁性线的MI效应、基本特点,以及非晶磁性线、非晶磁性薄膜的制备。这种MI效应在传感器技术中有广泛的应用。     

高性能纳米磁性薄膜材料的湿法工艺

介绍了纳米磁性薄膜材料特性，类型，综述了近年来兴起的湿法工艺及其用湿法工艺制备的纳米磁性薄膜材料的特性。     

静磁表面波（MSSW）－静磁反向体波（MBVW）级联非色散延迟线研究

本文从理论上对ＭＳＳＷ－ＭＢＶＷ级联延迟线的色散特性进行了分析．通过计算机计算，得到了在宽的频带范围内，级联延迟线具有非色散特性．设计了一种将ＭＳＳＷ、ＭＢＶＷ级联在一个腔体中的换能器结构．在Ｓ波段，实验上得到了在３００ＭＨＺ频宽范围内这种级联延迟线具有良好的非色散延迟线特性．     

微波用La:YIG单晶薄膜液相外延生长中的几个问题

本文从微波器件、静磁波器件的要求出发研究了La:YIG单晶薄膜的外延生长。文中对La:YIG的熔体组分进行计算,并讨论了La作为大离子调节薄膜晶格常数的作用及铁磁共振线宽与生长参数、微观结构参数的关系。本文提供了一条La:YIG薄膜生长的La的分配系数曲线,并就La:YIG薄膜中的La效应实验现象作了初步探讨。     

尖晶石型铁氧体薄膜的化学镀技术及其应用

介绍了最新的铁体磁性薄膜的化学镀技术，沉积机理及其应用 。     

直流叠加对铁硅铝磁粉芯品质因数的影响

利用LCR测试仪测试有效磁导率(μe)为125及60的铁硅铝磁粉芯在不同交流磁感应强度下的品质因数,发现品质因数随频率出现峰值,有效磁导率为125的磁粉芯在大约30kHz时品质因数出现峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯则在80kHz左右时品质因数出现峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关。在上述结果的基础上,再分别对上述磁粉芯在直流叠加状态下的品质因数进行测试,结果发现其品质因数随直流叠加磁场出现峰值,在交流磁感应强度频率分别为50、100kHz以及200kHz时,有效磁导率为125的磁粉芯品质因数在直流叠加磁场强度为1571、3927A/m和5890A/m时到达峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯在交流磁感应强度频率分别为150、200kHz以及250kHz时,品质因数则在直流叠加磁场强度为4712、5498A/m和7069A/m时到达峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关,并对其原因进行了分析。