LaCl_3和LaBr_3单晶弹性模量的测量及计算

采用纳米压痕法测量了新型无机闪烁体材料LaCl3和LaBr3单晶的弹性模量,以及用波形信号发生器产生的超声波在两种晶体中沿c轴和垂直c轴方向的传播速度,并结合声速,通过Christoffel方程计算得到了两种晶体的弹性常数矩阵,利用第一原理计算了两种晶体沿c轴方向的弹性模量值。结果表明:在LaBr3晶体中声波的传播速度大于LaCl3的;纳米压痕法实验测得LaCl3和LaBr3单晶沿c轴方向的弹性模量值分别约为45.3GPa和32.5GPa,接近真实情况。     

采用慢正电子束测量MBE生长的GaAs薄膜表面缺陷的研究

用慢正电子束测量了三种不同生长工艺的MBE GaAs薄膜。结果表明,正电子束发射产额参数F_L能反映薄膜的缺陷状况,结晶完整性差的薄膜其F_L值也较低。同时还发现,掺Si的n型GaAs在约600℃显著分解,该温度明显低于本征GaAs梓品开始分解的温度。     

一种穆斯堡尔谱测量用的样品控温装置

我们研制成一种穆斯堡尔谱测量用的样品自动控温装置,并用该装置对不同样品分别在各种设定温度下测量了穆斯堡尔谱,得到了较为满意的结果。装置由三部分组成:1)JWK-702温度控制装置,用以测温和自动控制加热器功率;2)液氮罐,用以储存液氮等冷却剂;3)冷指系统。是一个真空室,紫铜样品架在真空室内,与伸出真空室外的紫铜棒相连;紧靠样品架设有测温铂电阻和加热器,真空室的外壁设有真空阀门和绝缘子,     

用正电子湮灭研究SmCo_5永磁体室温至740℃的组织变化

SmCo_5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度范围内等时(2小时)退火处理的SmCo_5合金的正电子湮灭研究。结果发现,材料中明显地存在着沉淀相的析出。作者认为,至少不能排除这一过程作为影响磁性的重要原因。 正电子平均湮灭率λ_(ap)能反映材料的基体性质。它的倒数称为材料的基体正电子寿命τb,     

MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展

本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。     

液晶中的正电子寿命与相变

正电子在分子材料中的湮灭寿命通常与多种因素有关,例如密度及分子排列结构等。若试图用正电子湮灭方法来研究分子材料中的结构效应,我们希望寻求这样一种材料,它在不宽的温度范围内有尽可能多的相变。液晶就是这样一种理想材料,因为它在一般的温度范围内常常具有多种中介相(Mesophases),特别是伴随着相变的发生,正电子的寿命参数常会产生显著的变化,因此,正电子湮灭方法可以灵敏地探测液晶中的相变。     

LaBr3(Ce)晶体阵列γ相机设计

设计了一款基于16×16 LaBr_3(Ce)晶体阵列耦合H9500型PSPMT的γ相机,读出电路采用DPC方案。测试结果表明:DPC电路中心区域定位能力较好,在边缘区域显示出压缩效应;泛场图中心区域约7×8的晶体阵列可清晰地被区分,但边缘区域出现了明显的压缩效应;对于1.1×10~5 Bq的~(137)Cs源,经过10 min能够观测到源的存在;放置于距离入射窗口77 cm的3.7×10~5 Bq的~(152)Eu源,相机能够比较准确地判断源的相对方位,但在重建图片中存在伪影。     

LaBr_3:Ce~(3+)闪烁晶体研究进展

以铈离子Ce3+激活的LaBr3晶体(LaBr3:Ce3+)是近年来发现的一种新型无机闪烁体材料,较高的光产额、较好的能量分辨率、较快的衰减时间等优良性质,使其成为NaI(Tl)等传统闪烁体材料有力的竞争者。论文通过重点比较LaBr3:Ce3+晶体与NaI(Tl)晶体的性质,同时列举实例说明它的应用,力求比较全面地反映LaBr3:Ce3+晶体的性质。     

正电子湮灭寿命谱测量用的一种高低温装置

测量不同温度下的正电子寿命谱,对于研究凝聚态物质的微观结构、缺陷以及相变具有重要意义。实验所用温度装置的好坏,对于能否顺利地进行变温测量起着重要作用。一个好的温度装置应该具备以下性能:1.合适的温度控制范围和较好的控温精度。2.不因为使用控温装置过多地增大两探头间的距离使寿命谱仪系统计数率下降。3.对谱仪时间分辨率影响较小。