碳量子点掺杂氮化碳提高的光电化学阴极保护性能研究

目的研究g-C_3N_4/C-Dots-M复合材料的光电化学阴极保护性能。方法采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见漫反射光谱技术对样品的晶体结构、微观形貌和光吸收性能进行表征。通过电化学测试可见光照射下g-C_3N_4/C-Dots-M复合材料光电极偶联316L不锈钢后的光电化学阴极保护电流密度和电位变化曲线,研究材料的光电化学阴极保护性能。结果可见光照射下,该偶联体系的光致混合电位下降至-0.43 V(vs. Ag/AgCl),光电化学阴极保护电流密度达到4.3μA/cm。结论得益于碳量子点优异的电子传导特性,g-C_3N_4/C-Dots-550复合材料的光电化学阴极保护性能比纯g-C_3N_4的明显增强。该复合材料在光电化学阴极保护方面展现了较大的应用潜力。     

光电化学阴极保护的原理及研究进展

简要介绍了光电化学阴极保护技术的基本原理以及其影响因素,总结了历年来该方面的主要研究成果,并简要地介绍了笔者课题组在光电化学阴极保护方面的部分工作。最后,对光电化学阴极保护技术进一步的发展以及应用进行了展望。     

制备方法对二氧化钛粉末薄膜光电极性能的影响研究

目的研究光电功能涂层制备方法对粉末薄膜光电极的光电转换效率的影响。方法采用喷涂法制备光电材料的FTO薄膜光电极,观察其表面形貌,通过研究光电流和光电位的变化评价光电材料的光电转换效率,并与点涂法和电泳法制备的光电极进行对比分析。结果喷涂法制备的二氧化钛FTO薄膜光电极性能优于其他两种方法制备的电极,在3.5%氯化钠溶液中,光电位变化更稳定,压降大于500 m V,光电流变化大于60μA/cm~2。结论喷涂法制备光电极能够提高半导体粉末材料的光电化学效率,是一种可推行的薄膜光电极制备方法。     

氯化铵盐粒导致的铜初期大气腐蚀行为研究

目的研究在氯化铵存在条件下,铜的大气腐蚀行为。方法采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、滴定法和电化学等方法来确定铜的大气腐蚀过程和腐蚀产物。结果随着暴露时间的延长,铜的腐蚀质量损失变大,平均腐蚀速率变小。在氯化铵存在条件下,铜表面生成了Cu_2O、Cu_2(OH)_3Cl和Cu_2(OH)_2CO_3,其中Cu_2O为主要腐蚀产物,其质量占腐蚀产物总质量的97%以上。结论氯化铵的存在会对铜造成很强的腐蚀,随着暴露时间的延长,铜的腐蚀变得严重,但是暴露后期腐蚀速率将会减缓。