半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和 N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K     

STUDY ON SYNTHESIS PROPERTIES STRUCTURES AND APPLICATIONS OF CERAMIC SEMICONDUCTOR COOLING MATERIALS (CFCC)

Pseudoternary system (Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3) ceramic smeiconductor cooling materials were pre-pared in solid state reaction with conventional techniques ofsintering ceramics.The effect of doping on the properties ofthe material was studied.X-ray diffraction analysis showedthat n-p-type materials were solid solutions based on Bi_2Te_3and Sb_2Te_3 respectively.SEM photographs proved that theboth types of materials were inhomogeneous and layer struc-ture.The values of fingure of merit for n-type and p-typematerials were 3.4×10~(-3) K~(-1),respectively.The fabricatedthermoelectric modlules made of the materials provided excel-lent cooling effect.     

半导体致冷冷敷仪的研制及应用

选用半导体制冷技术作为制冷源，循环水散热，用导热脂加金属粉作为导冷介质，研制成功冷敷仪。该冷敷仪启动后５分钟内从室温可降至４℃，连续工作２４小时，可保持在４℃以下，最低可达到－５℃。经临床使用，效果良好，达到给发烧病人冷敷降温的目的。     

陶瓷工艺方法制备半导体致冷材料及应用研究

立足于国内外现有的制备半导体致冷材料的方法，采用陶瓷工艺，在气氛保护下，通过固相烧结反应制备出温差电多晶材料。Ｘ－ｒａｙ测试结果表明，得到的Ｎ型是以Ｂｉ２Ｔｅ３为基的固溶体，而Ｐ型材料是以Ｓｂ２Ｔｅ３为基的固溶体。扫描电镜观察结果表明，制备出的Ｎ、Ｐ型材料都是各向同性的多晶层状结构材料。力学测试结果表明，Ｎ、Ｐ型材料均有很好的抗压强度。热电性能测试结果表明材料具有较好的热电性能，Ｐ、Ｎ型材料优值系     

陶瓷半导体致冷皮肤温度感觉检测仪的研制及应用研究

选用半导体致冷技术作为冷、热源，用电池供电，铝合金敷热、紫铜作为导热、导冷触头、热敏电阻作为感温探头，数字显示紫铜触头的温度。经检测：致冷，３０ｓ内可降低３℃，最低可比室温低２０℃，电池可持续使用６０ｍｉｎ，致热，３０ｓ内可升高４℃，最高可比室温高２５℃，经广州工十字会医院神经科临床使用，并与试管加水测试系统对比，结果证明了该检测仪可满足检测人体表皮对温度差别感觉的检测要求，检测精度有进一步的提高