铋钙铟钒柘榴石铁氧体单晶材料的组成设计

本文在 BicaVIG 单晶组成的基础上,用离子代换法,设计了 BiCaInVIG 单晶的组成:{Bi_(3-2X)Ca_(2X)}[Fe_(2-y)In_y](Fe_(3-X)V_X)O_(12)其中 X=1.3,0相似文献   

一种配方简单的2F4-15000高压瓷料

研制成一种配方简单、工艺稳定、重复性好的2F4-15000低频瓷料。其ε_r 15000,V_(DC)≥5V/μm,tgδ≤0.01,△C/C符合2F4组的要求。已用该瓷料制成20kV,φ12mm,2000pF和15kV,φ9mm,1000pF的高压瓷介电容器。     

磁称法测量铁氧体单晶小球的居里温度

利用磁天平,在样品管外面套上加热线圈,测量了铋钙钒石榴石(BCVIG),铋钙铟钒石榴石(BCIVIG,其中钒,铟代换量分别为0.10和1.33),钇铁石榴石(YIG)和纯锂铁氧体(LiIS)等四种单晶小球的居里温度T_c,结果分别为232±5C,202±5℃,280±5℃和643±5℃,并指出这四种材料都没有温度补偿点。文中还讨论了4πM_s和T_c的测量误差,并给出本装置的误差估计值。     

锂铁氧体单晶的生长和磁性能

本文阐述以助溶剂缓慢降温法生长纯锂铁氧体单晶的试验结果。文中还对单晶生长条件和磁性能测试结果进行丁讨论。测试结果表明,该材料具有,居里温度T_c=643±5℃,在室温上下各波动100°K时,磁矩变化值≤±7%,各向异性场强=-287Oe,铁磁共振线宽△H=5.8Oe。这类单晶材料的研制成功,将为微波高频段单晶器件的制造创造条件。     

Li—Zn铁氧体单晶的分子场系数

本文报导用助熔剂法生长出如下成分的铁氧体单晶:(Fe_(1-z)Zn_z)_A[Li_(0.5-(Z/2)) Fe_(1.5 (Z/2))]_BO_4,在有变温装置的磁天平上,从液氮温度至居里温度范围内测量出不同锌含量的Li—Zn铁氧体单晶的Ms—T曲线。按Néel亚铁磁分子场理论,以逐次逼近法通过反复叠代计算,确定出Li—Zn铁氧体单晶的分子场系数与锌含量间有如下线性关系 N_(AA)=-146(1 0.384Z) N_(BB)=-58.3(1-0.356Z) N_(AB)=265(1-0.151Z) (moles/cm~3)为确定上述结果的适用性,对不同锌含量的锂锌铁氧体计算了磁矩—温度曲线,并与实验值进行比较,结果表明,理论与实验基本符合。这就可为在一个较宽的含锌量范围内提供予言Li—Zn铁氧体性能的基本数据。     

加速坩埚旋转技术生长铁氧体单晶

采用简易的机械式加速坩埚旋转装置来生长铁氧体单晶。讨论了各种因素对单晶生长的影响,并找到了较佳的生长条件,用这些条件成功地生长出多种配方的Li—ZnIS、Li-CoIS和Bi-YIG。单晶的产量和质量令人满意。     

通过氧气退火和化学抛光的联合处理来降低锂铁氧体单晶小球的共振线宽

铁氧体单晶小珠,无论通过氧气退火或化学抛光,都能降低它的共振线宽(△H)。但若在氧气退火之后,再经过化学抛光,则更能显著地降低共振线宽。我们已通过这种联合处理方法,把钮铁氧体(LiIS)单品小球的共振线宽降降低到2.2Oe(9.1GHz)。     

LC滤波线路用配对瓷介电容器的研制

通过配方试验优选出以Sr~(2+)和Sn~(4+)为移峰剂的BaTiO_3基介质材料,制成φ?14mm,总厚度约1.0mm的配对瓷介电容器,每片的电容量约为3000pF,tgδ≤0.01,U_(DC)≥2000V,在-10～+80℃的范围内,ΔC/C_(22℃)在+0.86%～-11.8%之间,而且配对性能相当好。