首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   0篇
工业技术   8篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1985年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 952 毫秒
1
1.
P-RAP法Bridgman技术生长KBr单晶   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用P-RAP法生长KBr单晶,用CHBr_3作为纯化固体粉料的试剂,CCl_4与CH_2Br_2的混合物作为纯化KBr熔体的RAP试剂,解决了晶体粘附坩埚引起坩埚的炸裂问题。初步探讨了P-RAP法生长KBr单晶的反应机理。所生长的KBr晶体的吸收系数较用普通方法生长KBr晶体的吸收系数降低两个数量级。  相似文献   
2.
本文利用CW—CO_2激光驱动气相化学反应的方法,以SiN_4和NH_3作为原料气体合成了纳米级Si_3N_4超细粉末。本工艺过程的产率达95%。由化学分析表明产物的纯度为含Si_3N_493.75wt%,杂质主要是氧,其含量为1.86wt%,另外还存在总含量为500ppm的Ca、Mg等杂质。由X射线衍射和透射电子显微镜等的分析表明,产物的颗粒近似于球形、不团聚,粒径分布范围为10um~30nm,平均粒径为17um,而其结晶性状呈现非晶态结构。  相似文献   
3.
本文研究了铝软钎焊时的去膜作用,并在此基础上研制了具有抗腐蚀性能的钎剂。  相似文献   
4.
5.
利用CWCO_2激光加热SiH_4和C_2H_4的混合气体,使之发生气相化学反应,从而得到纳米级的SiC超细粉,产率达97%。分析表明产物的纯度为含SiC95.38wt%,杂质主要是氧,其含量为1.32wt%,另外还存在总含量为300mg/mL的Ca、Mg等杂质。由XRD和TEM等的分析表明,产物的颗粒近似于球形,不团聚,粒径分布范围为10nm~25nm,而平均粒径为15nm,并且其结晶性状呈现非晶态结构。  相似文献   
6.
利用 CW-CO_2激光驱动气相化学反应的方法,以 SiH_4和 C_2H_4作为原料气体合成了 SiC 超细粉末。本工艺方法的特点是反应器壁是冷的,无潜在的污染源,不存在热表面;反应体积小,以保持陡的温度梯度;反应气体直接吸收激光辐射而反应,容易得到高温;反应区的条件容易控制。另外,通过控制反应条件,能够有效地控制 SiC 超细粉末的纯度和粒度。  相似文献   
7.
一、前言锌、镉镀层与某些有机材料一同存放,表面逐渐被腐蚀形成"白霜".根据各工厂腐蚀试验的结果表明,黄腊绸、黄腊管、醇酸磁漆、酚醛磁漆、酚醛塑料、木材等对锌、镉镀层的腐蚀比较严重.据对上述材料挥发气氛的定性分析结果表明,对锌、镉镀层腐蚀最严重的黄腊管、黄腊绸、醇酸磁漆的挥发气氛中都含有甲酸,木材的挥发气氛中含有乙酸及微量甲酸.本文对上述材料挥发气氛的定性分析方法,气氛中甲酸、乙酸的定量分析方法进行了研究.  相似文献   
8.
测量了新的一系列铌酸锂晶体—高掺镁富锂铌酸锂晶体的倍频和抗光折变性能,研究了其抗光折变的机制.结果表明:该系列晶体较同成分晶体和只掺镁晶体具有更优异的倍频和抗光折变性能,其抗光折变能力增强的宏观机制也是光电导增大.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号