{110}cub切型Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3单晶铁电相变的研究

测试了PMNT68／32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线，发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关。研究结果表明，相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因，即在＜110＞取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的，它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小，而且与单晶中PbTiO3含量的变化密切相关。     

Growth units and forming mechanism of KDP crystals

Ｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈｉｓｇｅｎｅｒａｌｌｙｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏ3ｓｔｅｐｓｉｎｓｕｃｃｅｓｓｉｏｎ,(ｉ)ｔｈｅｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆｓｏｌｕｔｅ,(ｉｉ)ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｇｒｏｗｔｈｕｎｉｔｓ,ａｎｄ(ｉｉｉ)ｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎａｎｄｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆｇｒｏｗｔｈｕｎｉｔｓｏｎｔｈｅｇｒｏｗｔｈｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ.Ｔｈｅｅｘｉｓｔｉｎｇｆｏｒｍｓｏｆｇｒｏｗｔｈｕｎｉｔｓａｒｅｕｎｄｅｒｈｏｔｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｎｏｗ,ｗｈｉｌｅｔ…     

PdSe2半导体薄膜的真空硒化法制备研究

PdSe₂薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得, 本研究采用一种简单有效的可在SiO₂/Si衬底上制备PdSe₂薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO₂/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜, 将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化, 获得PdSe₂薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe₂薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe₂薄膜电输运性能的影响, 当硒化温度为300 ℃时, 所制得的PdSe₂薄膜的体空穴浓度约为1×10¹⁸ cm^-3, 具有最大的室温迁移率和室温磁阻, 分别为48.5 cm²·V^-1·s^-1和12%(B=9 T)。值得注意的是, 本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe₂薄膜。随着硒化温度从300 ℃逐渐升高, 由于Se元素容易挥发, Pd薄膜的硒化程度逐渐减小, 导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明：真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe₂薄膜的方法, 在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。     

67 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-33PbTiO3单晶90铁电畴光学研究

采用偏光显微镜观察了67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-33PbTiO3固溶体铁电单晶在室温时90铁电畴结构.铁电畴结构与晶体质量有关,在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺寸为23mm的均匀大畴,不同极化方向的大畴重叠形成雾状区,使晶体表现出光学质量宏观不均匀.在光学质量差的雾状晶体中则存在着0.1mm宽的110型带状孪生畴,使晶体形成表面浮凸,带状畴内还存在着90°亚畴.并对这些畴的形成作了讨论     

67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-33PbTiO3单晶的微结构与铁电畴

用偏光显微镜(PLM)和透射电镜(TEM)观察了67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-33PbTiO3单晶的畴结构.在PLM下,光学质量不同的晶体具有不同的畴结构,透明晶体具有毫米尺度的大畴,透明性差的晶体的带状孪生畴宽约为0.1mm;在TEM下,雾状晶体中存在着复杂的微米尺度的孪生畴,而均匀晶体中存在着不规则的微米尺度的180°畴.原位EDS分析表明,在孪生晶体中存在Nb-Ti-Mg-Pb-O非晶相.透明晶体的介电和压电常数显著地高于雾状晶体.讨论了化学不均性对畴结构的影响.     

新型热释电材料性能及其在红外探测器中的应用

弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT),Mn掺杂PMNT,三元系铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIMNT)和Mn掺杂PIMNT)不仅具有优异的压电性能,而且还具有非常优异的热释电性能。通过对弛豫铁电单晶的介电、热释电性能随固熔体组成、结晶学取向的研究,发现了[111]取向的PMN-0.26PT和掺锰PMN-0.26PT单晶的本征热释电系数分别达到15.3×10-4 C/m2 K和17.2×10-4 C/m2 K,具有优异的热释电综合性能。掺杂后,二元和三元体系弛豫铁电单晶的介电损耗降至0.000 5,使得Mn掺杂PMN-0.26PT单晶的探测优值从15.3×10-5 Pa-1/2提高至40.2×10-5 Pa-1/2,Mn掺杂PIMNT的探测优值达到19.5×10-5 Pa-1/2。高Curie温度(TC)PIMNT(41/17/42)和Mn掺杂PIMNT(23/47/30)单晶的TC分别达到253℃和179℃。采用红外吸收率更高的多壁碳纳米管作为吸收层,制备了基于Mn掺杂PMNT单晶的高性能热释电探测器,该探测器的电压响应率达到115kV/W(10Hz),探测率在4Hz和10Hz时分别达到3.0×109 cm·Hz1/2/W和2.21×109 cm·Hz1/2/W,性能比目前商用的高性能LiTaO3探测器要高出4倍之多,弛豫铁电单晶线阵红外探测器也显示出了明显的性能优势。     

67 Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-33PbTiO_3单晶90°铁电畴光学研究

采用偏光显微镜观察了６７Ｐｂ（Ｍｇ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３－３３ＰｂＴｉＯ_３固溶体铁电单晶在室温时 ９０°铁电畴结构．铁电畴结构与晶体质量有关,在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺 寸为２～３ｍｍ的均匀大畴,不同极化方向的大畴重叠形成雾状区,使晶体表现出光学质量宏观 不均匀．在光学质量差的雾状晶体中则存在着 ０．１ｍｍ宽的｛１１０｝型带状孪生畴,使晶体形成 表面浮凸,带状畴内还存在着９０°亚畴．并对这些畴的形成作了讨论．     

Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3压电单晶的弛豫反常

对用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶用Laue衍射法和XRD衍射曲线定向,取(001)晶片研究材料的电学性能.结果表明,材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象,随着测试频率的升高,介电常数的峰值温度出现反常,峰的位置向低温方向移动.用扫描电子显微镜和正交偏光显微镜研究了PZNT91/9单晶的电畴结构,发现规则排列的带状畴与杂乱分布的细畴并存.X射线荧光分析结果表明,在PZNT91/9单晶中存在着由成分分凝引起的组分变化.成分分凝引起的组分波动和电畴结构的复杂性导致了材料性能的不均匀性,并与材料铁电相变的弥散性特征相关.     

BaTiO3晶体的电畴结构和单畴化方法

BaTiO3晶体的光折变应用之前，必须对晶体进行单畴化处理．根据BaTiO3晶体中90°电畴结构和包裹体之间的关系，我们找到一种在晶体极化之前就能有效地检查出BaTiO3晶体中包裹体的方法．根据BaTiO3晶体中90°电畴和180°电畴的形成特点，既可以让晶体以缓慢速度降温通过顺电-铁电相交点（1℃／15min），消去BaTiO3晶体的90°电畴，也可以用在α轴方向上施加一定的压力消去BaTiO3晶体的90°电畴．180°电畴可以在晶体的温度接近居里点时，通过在（001）面上施加1～3×105V／m的电场来消除     

新型热释电材料及其在红外探测器中的应用

以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料.概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)...