IspPAC技术在模拟滤波器设计中的应用

模拟集成电路代替传统的分立元件电路，省去许多电阻、电容的接线，具有调节方便，集成度高的鲜明优势。本文介绍了一种最新推出的模拟集成电路一在系统可编程模拟电路（简称ispPAC）的功能及特点，然后以ispPAC10为例设计了一个二阶带通滤波器，并给出了其仿真的幅频特性曲线和相频特性曲线，实验结果基本达到了设计指标。本器件的开发可以在软件对话框窗口中直接更改参数，滤波器的频率在10kHz到100kHz的范围内有近120种不同的选择，精度为3％。     

热电偶惰性自动补偿器

在工件热处理工艺中,以热电偶作测温仪表,以自动电子电位差计(或毫伏计)作控温仪表。控温仪表是根据热电偶所测温度来控制工件的热处理,由于热电偶存在着热惰性,致使控温仪表所获温度值常滞后于炉温的实际变化,故炉温有时波动很大(一般约在±10～20℃),但在控温中却不能及时调节,从而大大影响了工件的质量。为此,我们在自动电子电位差计测量,控制回路上连接一个“热电偶惰性自动补偿装置”经过在H—15、H—30、H—45和JH—36电炉上使用,结果控温精度从原来的±20～30℃,提高到±1～3℃。经过一年多使用的证明,该装置补偿稳定,效果良好。     

无杂质空穴扩散诱导量子阱无序及在光集成中的应用

综述了近年来新发展的量子阱生长后置无序的无杂质空穴扩散诱导量子阱部分无序的工艺技术，量子阱部分无序的机理，并分析了它在量子阱光电器件中的应用和使用该技术制出的光集成器件的最新结果。并对它的应用前景作了初步展望．     

Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究

本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布．     

PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InPMQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩。这些都明显区别于常规SiO2膜的性质。     

2BJT精播机定粒穴播棉花的探讨

文章就2BJT精播机定粒穴播棉花进行了可行性分析,指出其中的技术关键所在;介绍了“内侧充种垂直圆盘排种器”的构造、工艺及其发展创新。经试验,得出“勺径侧三作用充种”等三种形式的排种轮可定粒穴播棉花。笔者还提供了各种排种轮型孔参数的确定方法和经验公式,揭示该排种器的伤种原因并提出了改进措施。     

热敏记录电笔在自动平衡记录调节仪表上的应用

随着我国电子工业和自动化仪表的不断发展,自动平衡记录调节仪表现已被广泛应用,其优点是:能自动指示、控制、记录温度、流量、压力等参数。但是,经过我们长期使用,觉得仪表的记录方法有不足之处,其一是由于记录笔尖很细,笔尖经常出现堵塞不下水或记录不清楚的现象;其二是仪表维护人员需要经常用钢丝去通笔尖,有时甚至还要用咀来吹,弄得记录纸和手都是墨水,既麻烦又不卫生;其三是维护人员还需定期给仪表注入墨水。综上所述,我     

电动色带水位计在锅炉水位测量上的应用

一、概述工业锅炉和采暖锅炉的汽鼓;直流锅炉启动分离器;高低压加热器;蒸发器等热力设备以及双水内冷发电机的冷水箱,均需进行水位的测量。目前,一般采用就地安装直观式水位计和远传式低置水位计两种方法测量水位。其缺点是:第一,操作人员观察水位和分析汽鼓水位变化情况很不方便;第二,在水位偏离正常水位时不能自动发出报警信号。为解决上述问题,我们采用电动色带水位计测量锅炉汽鼓水位,它能自动显示、记录水位的变化情况,并能在水位偏离正常水位时发出报警信号。这种方法其优点是:操作人员观察水位直观,由     

热电偶惰性自动补偿装置

一、概述随着我国现代化工业的不断发展,对热处理工件质量的要求也不断提高,热处理工件质量的好坏其中一个主要因素就是温度。目前热处理使用的测温仪表大多数是热电偶,控温仪表是自动电子电位差计或毫伏计,控温仪表的灵敏度是较高的,反映速度也是较快的,但热电偶的灵敏度是较低的,普通热电偶一般反映的速度较慢,其惰性一般在1～2分钟左右。控温仪表的控制欲发生动作,必须由热电偶反映给控温仪表,由于热电偶的热惰性,使热电偶反映给控温仪表的温度比炉温变化始终     

磷离子注入诱导InGaAsP／InP双量子阱混合的研究

本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。