文件管理好帮手

现在无论什么档次的电脑,如果不配置一块60G或者更大的硬盘,总感觉不那么顺心如意。大硬盘有了,马上闹心的事情也随即出现了:过去在使用小硬盘时那种井井有条的硬盘管理再也看不到了,反正硬盘够大,想装什么就装什么,结果时间一长,感觉硬盘就如同一个大的垃圾站,有用的,没用的,统统进入我们的视线,正是“乱花渐欲迷人眼”,想找到一个需要的文件都很难！今天,我就给大家介绍一款非常实用的文件管理工具-Where Is It(http://gt.onlinedown.net/down/where324.zip)。 Where Is It它不但可以给你的硬盘、软盘、光盘     

传统出版转型,进军数字时代初探

<正>数字出版是与计算机技术相结合的出版新业态,自发轫之初,就一路高歌猛进,已经成为未来出版业发展的必然方向。2011年是"十二五"开局之年,站在这个时间节点上,审视传统出版业"十一五"期间向数字出版转型的具体实践,探求出版强国发展之路,对于保证"十二五"期间新闻出版业的顺利发展有着重要意义。本文将从传统出版的转型问题出发,对未来的数字出版进行解读与展     

AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

欧姆接触电阻率的精确测量方法

分析了一般测量接触电阻率的TLM模型以及“端电阻”修正模型的缺点,提出了一种新的接触电阻率的测试方法。此方法模型精确,常规测试条件下容易得到误差小于1%的相关测试量的值,使接触电阻率的测试误差小于5%。     

宽带提速好工具—ADSL超频奇兵

当前随着网络的普及应用,宽带互联已经越来越多的走入了我们的家庭。目前,我们都是使用ADSL线路的固定IP和虚拟拨号两种类型的接入方式。虽然ADSL已经很快了,但人们总是希望更快。突然有一天,我发现了这个工具——ADSL超频奇兵(http://glisten_cen.top263.net/project/adslx2.exe)。那么,下面我就把它介绍给大家,希望能够通     

AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大的漏源饱和电流密度为0.95A/mm.