DC-DC转换器中低压高速驱动电路的设计

给出了射随器输出驱动电路和图腾柱输出驱动电路的结构以及两种电路结构的局限性。针对低压高速的要求提出了一种改进型的驱动输出电路,工作电压可低至1.2V。电路基于Bipolar工艺设计,用Hspice软件仿真结果表明:根据便携式产品的电池电压不同,设计效率高达85%。     

XD3301过温保护模块的设计

主要介绍了降压型(Buck)DC/DC专用集成电路XD3301的基本功能和特点,并给XD3301设计了一种CMOS工艺的高精度过温保护电路,通过芯片结温和三极管的阈值进行比较,当芯片结温高于三极管的阈值时,关断开关管;而当芯片结温低于三极管的阈值时,打开开关管,芯片正常工作。给出了过温保护模块具体的电路设计原理、计算方法,并用HSpice软件对结果进行了仿真验证。     

具有带隙结构的迟滞比较器电路设计

基于LED驱动的微功耗DC—DC转换器,针对低压高稳定性的要求设计了一款具有带隙结构的迟滞比较器电路,它的最低输入电压为1．2V,其核心电路有带隙基准比较器、射极跟随器和迟滞比较器。整个电路采用Bipolar工艺设计,利用HSpice软件对所设计的电路进行了仿真与验证。结果表明,迟滞比较器的迟滞电压为8mV,翻转门限电压随输入电压和温度的变化均很小。     

DC-DC转换器中低压迟滞比较器的电路设计

传统带隙电压基准和迟滞比较器需要至少2V以上的输入电压,而且占芯片面积较大。针对低压微功耗的要求,设计一种具有带隙结构的迟滞比较器电路,工作电压可低至1.2V。整个芯片的静态电流只有40uA。电路基于Bipolar工艺设计,利用Hspice软件仿真,结果表明:根据产品的电池电压不同,设计效率高达85%,迟滞比较器的迟滞电压为8mV,翻转门限电压随输入电压和温度的变化均很小。     

恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计

设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子模块的电路进行了详细的设计与仿真并进行了稳定性分析,均能够在不采用任何补偿的情况下保持稳定。电路采用CSMC公司的0.6μm B iCMOS工艺模型,基于Cadence仿真平台对电路进行了前仿真,仿真结果表明,在5 V电源电压下,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为502 mA,最终电池电压为4.202 V。     

松花湖水体叶绿素a含量与反射光谱特征关系初探

根据2008年7月在松花湖实测的水体反射光谱及实验室分析得到的叶绿素浓度数据,对松花湖水体反射光谱特征与叶绿素浓度之间的关系进行探讨与分析。研究结果表明:水体叶绿素浓度与各波长点处反射率相关性均较好,并选择700 nm处反射率建立单波段模型。而700 nm和677 nm波长处反射率比值、685 nm处光谱一阶微分、700 nm波长处波峰几何特征具有较好的相关性,给出了松花湖水体叶绿素浓度估算模型,为松花湖水体叶绿素浓度反演监测提供了一定的理论基础与参考。     

一款低电压高精度CMOS运算放大器设计

设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。     

低电压、高PSRR的带隙电压基准源

设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源,具有良好的电源抑制比。电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比。基于0.25μm CMOS工艺,测试结果表明:在1V电源电压下,1KHz频率时,电源抑制比约为80dB,在0-70℃温度范围内,输出电压变化率不超过0.3%。     

基于CMOS工艺的高精度过温保护电路的设计

先介绍了一种双极型过温保护电路,虽然这种电路模拟精度高,驱动能力强,但电路本身存在热振荡问题。紧接着提出了一种高精度的过温保护电路,整个电路采用0.5μmCMOS工艺,具有温度迟滞功能,有效的避免了热振荡。并用hspice软件对结果进行了仿真验证。     

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.