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金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强. 相似文献
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采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。 相似文献
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CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好. 相似文献
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ITO薄膜的制备工艺及进展 总被引:6,自引:0,他引:6
对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行描述.介绍各种制备工艺的优点及在今后的研究中要解决的问题. 相似文献
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夏冬林 《机械工人(冷加工)》1983,(1)
更换装在轴承座里的旧轴承是比较困难的,使用图示这种开槽心轴就方便多了。心轴由冷轧钢棒料制成,其一端直径稍大于要拔取轴承的内径,另一端车削到约比轴承内径小0.001~0.002英寸,在棒料轴向钻一个精密孔,在车好的端面上钻60°锥口孔并用锯齿刀开割一条槽,长约1英寸,然后,在六角头螺栓或内六角螺栓头下面车成60°角,螺栓的长度要足以能穿过整个心 相似文献
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铝诱导晶化P型非晶硅薄膜实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛保护下进行退火处理制备出P型多晶硅薄膜,研究了不同厚度的金属铝膜和热处理温度对非晶硅薄膜的微观结构、表面形貌的影响。实验结果表明:铝膜相对厚度越厚,对a—Si的晶化诱导效果则越好,在一定温度条件下,相对较厚的铝膜可以缩短a—Si晶化为polv-Si的时间,并且能使a—Si的晶化更加完整,产生尺寸较大的硅晶颗粒。在铝膜厚度相同,退火温度相同的条件下,热处理的时间越长,则晶化发生的程度越深,晶化越为彻底。 相似文献
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