基于手机传感器的握持方式判断及运动状态识别

传统运动识别技术多以传感器位置固定为前提进行识别,但当传感器放置位置或握持方式发生变化时运动识别率会受到相应影响。该文提出了一种基于手机传感器的握持方式判断及运动状态识别方法,解决了传感器随放置位置不同影响运动识别率的缺点。该方法首先通过传感器对设备握持方式进行判断,使用不同握持方式下的三轴加速度数据进行特征提取,通过多层小波变换得到各层高频和低频部分,对其进行组合形成初级特征,用奇异值分解对初级特征进行降维得到最终特征,使用基于径向基核函数的多分类支持向量机 (SVM) 对特征分类,进而判断不同握持方式下的不同运动。实验结果表明,该方法对不同运动方式下的平均识别率为93%。     

VB实现数字小写转大写算法

在开发一些财经类管理信息系统时,常常遇到人民币阿拉伯数字按照汉语习惯和规定自动转换成大写格式的问题。本文提供了一种简洁明了的算法,并在VB环境下完整实现。     

批量精确套印毕业证的简便方法

打印毕业证时,在纸上已印好一些文字,留有一些空白,需在空白处打印上有关的数据,这就是套印。套印时最头疼的事是模板制作,很难与原始纸上的文字对齐。本文将为大家详细介绍一种方便而精确的制作模板,进行邮件合并批量套印毕业证方法。     

NGN的媒体流自适应控制的实现

多媒体流自适应控制是流媒体应用的基本要求和主要难点之一。RTP提供端到端的数据传输服务,以便接收端实现数据包顺序播放和音视频同步,它需要由实时传输控制协议RTCP（Real-Time Transport Control Protocol）提供质量反馈,达到传输的实时性和传输质量要求。详细设计了RTCP网络传输质量反馈的实现方法,并给出了媒体流自适应控制的实现策略。     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

耐热球墨可锻铸铁的硬度与切削加工性

观察了耐热球墨可锻铸铁经洛氏硬度试验后留下的凹坑及凹坑纵切面的形貌．结合金属塑性成型原理及金属切削变形原理，初步分析了铸铁在硬度试验中的受力情况及变形过程．并对耐热球墨可锻铸铁的硬度(HRC30—35)和良好的切削加工性的原因做出了解释．     

终轧温度对09CuPTiRE耐腐蚀钢板组织和性能的影响

通过金相、电子探针观察和单向拉伸试验,对不同终轧温度的09CuPTiRE钢板的金相组织、夹杂物和力学性能进行了研究。结果表明:在一定范围内,随着终轧温度的增大,钢板组织的晶粒平均尺寸变小,低温横向冲击韧性得到一定程度的改善。稀土元素改善了硫化物形态,提高了钢板的低温横向冲击性能。济钢中板厂的现场设备条件完全能达到低温终轧的能力,使09CuPTiRE热轧钢板达到新铁标的要求。     

基于MetCal的双底吹连续炼铜工艺全流程模拟计算

以“底吹造锍熔炼-底吹铜锍吹炼”铜冶炼工艺为设计计算对象,基于冶金工艺流程计算系统开发平台（MetCal）,运用化学平衡、质量守恒、热量守恒、元素分配约束等原理建立了底吹熔炼配料、底吹造锍熔炼、底吹熔炼余热锅炉、底吹铜锍吹炼、铜锍吹炼余热锅炉等冶金单元数学模型。开发了双底吹炼铜工艺全流程模拟系统,通过计算得到了全流程物料走向分布、各控制单元物质分配和热平衡结果,并用实际生产数据对双底吹模型进行验证。结果表明:底吹熔炼工序铜锍中的Cu,S,Fe,Pb,Zn的绝对误差为0.32%,0.74%,1.64%,0.47%,0.32%;熔炼渣中Cu,S,Fe,Pb,Zn,CaO,Al₂O₃,MgO绝对误差为0.05%,0.96%,1.59%,1.13%,1.09%,1.17%,2.45%,0.67%。底吹吹炼工序粗铜中Cu,S,Fe,As,Sb,Bi,Pb,Zn绝对误差为0.43%,0.03%,0.01%,0.07%,0.046%,0.006%,0.32%,0.014%;吹炼渣中Cu,S,Fe,Pb,Zn绝对误差分别为1.83%,0.06%,11.35%,11.92%,2.36%,以上计算为工业生产指导和工业设计提供依据。      

测量2γ湮没辐射的快-慢符合角关联装置

正电子湮没辐射角关联技术是正电子湮没谱学的基本手段之一。湮没辐射角关联曲线的测定能提供有关电子动量密度和费米面等方面的信息,并应用在金属、合金和固体材料等的研究中。本装置是测量2γ湮没辐射的一维快-慢符合角关联装置,它由一个扇形测量台和一个可移动的平台组成,总长约为4m。可动探头与样品装在测量台上,固定探头装在可移动的平台上,探头表面与样品之间的距离为1.5m,并可根据工作需要和辐射源强度的变化作适当的改变。转动手轮可驱动可动探头绕着样品的中心轴转动,转动的角度由测量台上的标尺读出。可动探头中心的角扫描范围为±30毫孤度。辐射源为10mCi的Na~(22),由专用架定位。辐射源和探头均用铅屏蔽。样品由样品架定位,其角度可作微小的调整。样品中产生的湮没辐射经过主、次两个准直器后由探头吸收测量。准直器的形状(圆孔或长缝)和大小(1—4mm)可以更换。典型的几何角分辨为0.66毫弧度。装置的对中由激光校准,水平由水准仪校准,移动平行度由加工精度保证。整个装置拆装和移动均比较方便。     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs 量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构，用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺，设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估，针对不同材料结构，实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连，成功演示了室温环境下目 标的红外热成像；并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。