HBr反应离子刻蚀微米硅深槽

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体,用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜,在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上,刻出槽宽１．２μｍ,槽深０．８μｍ的硅深槽,并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．     

BF2注入和快速退火的亚微米双层多晶硅工艺

详细介绍了一种采用ＢＦ＿２注入和快速退火制作基区、ｆ＿Ｔ可达３０ＧＨｚ的亚微米双层多晶硅工艺及其器件特性。描述了晶体管的基本参数，以及其截止频率ｆ＿Ｔ和集电极与发射极间击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）之间的对应关系；与基区注入剂量、外延基区注入剂量、下集电区注入剂量和外延层厚度的函数关系。     

高性能双极IC工艺新技术

1 引言当代双极IC的发展有以下几种趋势:第一,朝着多功能化发展,包括各种数字逻辑功能,模拟功能,数字模拟兼容功能;第二,朝着高性能发展,包括各种高带宽、高速、高精度功能;第三,朝着功能系统化发展,如各种单片功能部件、单片机和单片系统的发展;第四,朝着功能专用化、高质量高可靠     

X0044低噪声精密运算放大器

本文简要介绍了国内外低频低噪声半导体器件和集成电路的一些情况;着重描述了我们研制X0044运算放大器所采用的降低1/f噪声的优化电路设计和工艺。研制出的样品,其低频噪声≤30nV(Hz)~(1/2)~(1/2),接近国外同类电路水平。     

一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺

介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。