用Ar气制备C—60的研究

在ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ碳弧法中用Ａｒ代替Ｈｅ制出Ｃ－６０。研究了Ａｒ压力为１．３３－９０．６４ｋＰａ时产的Ｃ－６０碳灰，功率消耗，提取率等的关系，并与用Ｈｅ制Ｃ－６０作了比较。     

富勒烯碳笼材料的制备与研究

本文介绍了用交流碳弧法制备富勒烯材料的工艺。对材料的紫外光谱和红外光谱进行了测量和分析,讨论了氦气压以及电流电压对材料产率的影响,指出氦气压在２４×１０３～３３×１０３Ｐａ之间,电流１００Ａ,电压１８Ｖ时,Ｃ６０的产率较高。     

水热法合成氧化镍-二氧化硅催化剂及其用于碳纳米管的制备

以硝酸镍和正硅酸乙酯为原料，制得Ni(OH)2／SiO2二元胶体，经水热晶化法和常压干燥法分别合成了纳米级氧化镍-二氧化硅复合粉体催化剂}用这两种催化剂在相同催化裂解条件下分别制得了多壁碳纳米管；采用XRD和TEM等测试手段对两种催化剂物相、形貌及由两种催化剂制得的碳纳米管形态、收率及纯度作了比较，结果表明：水热晶化法比常压干燥法合成的催化剂粉体颗粒粒径小(为10～20nm），分散性好，催化活性高，使得所制得的碳纳米管管径小(为10～16nm)、分布窄、纯度和收率都相对较高；同时对用不同水热反应温度合成的催化剂(物相不同)制备碳纳米管进行了研究。     

在氩气氛下生长的C60薄膜的结构与特性

采用惰性气氛蒸发法制备C60薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)及紫外-可见光谱研究了在氩(Ar)气氛下生长的C60薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性.AFM测量表明在Ar气氛下生长的Ceo薄膜的表面生长岛更尖锐,并且有较大直径的表面粒子.由紫外-可见光吸收谱测量发现Ar气氛下生长的C60薄膜的强度和吸收峰位置与在真空下生长的C60薄膜比较有大的红移.可求出在Ar气氛下生长的C60薄膜的光学禁带宽度Eg一2.24eV,比在真空下生长的C6o薄膜禁带宽度(2.02eV)要大.与真空下生长的C60薄膜比较,Ar气氛下生长的Cso薄膜的红外谱没有变化,但X射线衍射表明其结构从面心立方(fcc)相变成fcc相与六角密堆(hcp)相的混合相.     

碳包Ni纳米晶的形成及其特征

用直流碳弧法制备出碳包Ｎｉ金属纳米晶，在石墨阳极复合棒中掺入不同组份的Ｎｉ，研究其对碳包Ｎｉ纳米，富勒烯等碳微团特性的影响。     

浅谈办公自动化系统的信息安全管理

随着计算机技术和网络的发展,办公自动化系统得到越来越广泛的应用。然而,办公自动化系统的信息安全问题却日益突出。如何保证信息数据的完整性,消除系统的安全隐患成为我们亟需解决的问题。本文分析了办公自动化系统信息安全的内涵,提出了提高系统信息安全的方法,对促进办公自动化系统发展,提高其信息安全水平具有重要的作用。     

碳弧法中碳包Fe纳米晶及其相关碳微团的形成

用直流碳弧法在阳极石墨棒中加入α－Fe2O3产生碳包Fe纳米晶,研究在复合石墨棒中加入不同的Fe2O3含量对碳包Fe纳米晶的形貌、结构特性及晶粒尺寸分布的影响,探讨碳包Fe纳米晶的形成原因及碳弧法中氦气压力和Fe2O3含量对复合石墨棒所产生的碳灰的C60／70产率的影响．结果表明：Fe2O3复合石墨棒所产生的碳灰含有α－Fe相、Fe3C相和石墨相,没有氧化物相．复合阳极棒中的Fe2O3含量决定了碳包Fe纳米晶的数量和晶粒直径分布,碳弧法中的He气压力仍是影响掺Fe2O3阳极棒所产生的碳灰的C60／70产率的主要因素,但对碳包Fe纳米晶的产率影响不大.掺Fe2O3阳极棒所产碳灰的C60／70产率与氦气压力的关系和纯石墨阳极棒的这一关系比较,存在着显著的差别．     

聚合物的微分时域介电谱

介绍了用微分时域介电谱方法测量三种聚合物ＰＥＴ、ＰＰ、ＰＳ的慢极化效应．讨论了温度和测量电路参数对时域谱的影响；并在－２００～１００℃范围内，用时域的方法分析了聚合物的结构转变．     

C60薄膜的制备及其特性研究

本文介绍利用真空镀膜方法制备Ｃ６０薄膜．测量了薄膜的Ｘ射线衍射谱,可见──紫外光谱、红外光谱及喇曼光谱,对这种新型碳固体材料的结构、化学及物理性质进行了讨论．     

气体压强对氮气氛下制备的C60纳米薄膜形貌和光学性质的影响

用扫描电镜、双光束紫外 可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气 (N2 )氛下制备的C6 0 薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现 ,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大 ,表面结晶现象也随气压增大而明显 ;与真空中制备的C6 0 薄膜比较 ,发现其紫外 可见吸收的相对强度明显不同 ,吸收峰位红移 ;并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C6 0 薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论