首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   97篇
  免费   13篇
  国内免费   23篇
工业技术   133篇
  2023年   3篇
  2021年   3篇
  2020年   7篇
  2019年   5篇
  2018年   5篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   6篇
  2014年   9篇
  2013年   13篇
  2012年   7篇
  2011年   9篇
  2010年   10篇
  2009年   4篇
  2008年   11篇
  2007年   5篇
  2006年   7篇
  2005年   5篇
  2004年   6篇
  2003年   4篇
  2001年   2篇
  2000年   3篇
  1999年   3篇
  1997年   2篇
  1995年   1篇
排序方式: 共有133条查询结果,搜索用时 484 毫秒
1.
新世纪以来,计算机在建筑设计领域的应用不仅仅是画图,而是随着计算数字化技术在建筑领域内的快速运用,设计和建造的关系正在数字化技术的共同平台上得以重新整合.建筑师运用数字化技术进行设计,改变的不只是建筑的面貌,也包括了建造、设计方法等各种内容.  相似文献   
2.
采用气水耦合雾化法制备了铜磷锡粉状钎料,并通过添加质量分数为0. 5%的硅元素改善粉末球形度和粒度分布,通过粉体材料综合测试仪、比表面积仪、激光粒度仪及差热分析仪检测了两种粉状钎料的基本性能,使用制得的粉状钎料进行火焰钎焊制备拉伸试样,通过力学试验机测试焊缝抗拉强度,通过电子显微镜分析了两种粉状钎料微观形貌及焊缝的微观组织。结果表明,微量硅元素可改善铜磷锡粉末的综合性能,其中松装密度提高17%,振实密度提高15%,比表面积提高60%,粉末粒径由42. 93μm降至30. 88μm,合金粉末熔点降低6℃;微量硅元素可显著提高铜磷锡粉状钎料的球形度,钎缝中形成尺寸较大的胞状α铜基固溶体,硅元素扩散进入基体中,接头抗拉强度略有提升。  相似文献   
3.
基于电流跟随器和负反馈原理,并结合电流镜像与虚地技术,得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的120kHz ̄8MHz恒定带宽,增益0 ̄60dB可调,最高稳定工作频率5MHz,功耗5.2mW的高性能CMOS放大器,其SPICE模拟表明,该放大器电气性能优越,模拟结果与理论分析比较吻合;可采用3 ̄5μm硅栅CMOS工艺技术单片化集成实现,并可望用于宽带视频放大等模拟信号处理领域。  相似文献   
4.
以南水北调中线京石段工程渠道边坡为典型案例,通过对边坡破坏机理的分析,确定了其破坏原因和破坏类型,并有针对性地提出了边坡处理方案,为其他段工程边坡的治理提供了实践依据。  相似文献   
5.
当今世界,面临数字化在建筑行业发展过程中所起到的作用,从而引发了很多建筑教育现状问题的思考从2010年开始,笔者致力于探索数字化背景下建筑教育,研究校企多方基地合作路径和人才培养模式,针对建筑设计人才培养与行业需求脱节等问题,通过多方基地的协同建设,创建了建筑学专业设计人才培养模式。通过多方校企基地实践,对建筑学专业学生进行职业化、专门化的教学培养体系。  相似文献   
6.
在分析折叠内插ADC预放大电路非线性误差的基础上,设计了一种适用于折叠内插ADC的新型预放大器,有利于减少插值非线性。采用0.35μmCMOS工艺,在3.3V电源电压下进行仿真。结果表明,在0.85V到2.45V输入范围内,预放大器过零点对应的输出电压保持在2.6V,0.1%的容差范围内,建立时间为4.2ns,有利于提高插值精度。  相似文献   
7.
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。  相似文献   
8.
制造企业在生产中瓶颈问题一直受到生产计划与调度管理人员关注。阐述目前对生产瓶颈的相关概念及延伸概念研究、瓶颈的识别与预测问题研究以及瓶颈的控制与改善研究,并指出对生产瓶颈问题未来的研究趋势。  相似文献   
9.
高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃~135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.  相似文献   
10.
为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6~40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号