十二烷基苯磺酸钠对铝箔腐蚀扩孔的影响

铝箔在HCl-H_2SO_4体系发孔后,在添加有缓蚀剂十二烷基苯磺酸钠的1 mol/L HNO_3溶液中电解扩孔;以730 V二级化成箔的比电容值为主要评价指标,并结合扫描电镜的分析数据,研究了缓蚀剂浓度、扩孔温度和时间对铝箔扩孔效果的影响。结果显示:缓蚀剂的引入提高了化成箔的比电容;缓蚀剂浓度增大时,腐蚀箔的孔密度增大,孔径变小;在730 V下化成时,扩孔液中十二烷基苯磺酸钠的最佳浓度为0.1 g/L,最佳温度为75℃,最佳时间为500 s,阳极箔比电容达到0.481μF/cm~2,比电容提高了20%。     

球形纳米氧化钇的制备与表征

以尿素为沉淀剂,硝酸钇为钇源,十六烷基三甲基溴化铵为分散剂,采用均相沉淀法制备球形纳米氧化钇粉体,研究了反应物浓度比、表面活性剂用量、反应时间、搅拌转速、反应温度对氧化钇形貌及粒径的影响。通过激光粒度分析、X射线衍射（XRD）分析、扫描电镜（SEM）分析、傅里叶红外光谱（FTIR）分析等手段对样品进行表征。结果表明,反应物浓度比、反应时间、搅拌转速、反应温度会影响粉体的尺寸,适量CTAB的加入可显著降低氧化钇的粒径;在最佳工艺条件下,可制得粒径大小为110~130 nm的球形氧化钇粉体。