基于场强角度的输电线路雷击概率定量评估

在电力系统智能化、信息化以及大规模电力电子器件的使用背景下，雷击对电力系统的影响越来越大。目前电力线路雷击特性的研究中，所用模型存在无法准确反映雷击物理过程的问题。据此，从雷击物理过程出发，分析了以雷击区域面积为核心的概率模型。在此基础上，以雷击过程产生的电场强度为切入点，刻画了输电线路雷击上行和下行模型，建立考虑雷击物理过程的线路雷击概率模型，并对其定量评估。通过传统仿真方法与所提方法进行对比，说明了所提方法的可行性和准确性。     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器

本文介绍空载电子设备用的宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器。文中叙述了工作在E_(010)模式圆柱腔的两种振荡器。不用高Q外腔稳频而用简单的双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,在-40°——+85℃较宽的温度范围内,使高低温频漂小于±2MHz,最好的可达±1MHz,即频温系数为6×10~(-6)-3×10~(-6)/℃。     

C波段四管功率合成体效应振荡器

本文介绍一种四管功率合成体效应振荡器。这种功率合成器结构简单、体积小、重量轻,适合于空间电子设备使用。振荡器最大功率输出为1.2—1.5W,功率合成率近100%,直流—微波转换效率达3.8%。功率合成器采用了双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,相对频温系数达到2×10~(-5)/℃。工作在注入锁定状态,增益为16db时锁定带宽为40MHz。     

五公分15瓦脉冲体效应振荡器的研制

本文介绍一种空间电子设备用的5公分15瓦脉冲体效应振荡器。这种振荡器采用E_(010)模式的圆柱腔,用简单的双金属结构和介质加载的“综合”补偿法解决了频率稳定度的问题。在-40～+70℃的温度范围内频漂小于±2MHz,频温系数达到3～6×10~(-6)/℃。     

C波段立体微带电路GaAs FET功率放大器

利用一四一三所研制的微波功率砷化镓FET,研制了一种高增益的五级功率放大器,末级利用功率合成。在C波段,线性增益31dB,1dB增益压缩点输出功率为860mw。当输入信号为1mw时。中心频率输出为940mw,效率达10%左右。     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

无线电高度表微波集成前端

研制的4.3GHz无线电高度表微波集成前端已得到实际应用,它代替了整机原用的振荡-放大一倍频方案,提高了效率、减小了体积.微波集成前端采用了高线性度FET压控振荡器作发射源,采用高隔离度的单桥路不等负载三分贝混合环混频器.在-40°～70℃的环境温度范围内发射功率大于150mW,压控带宽123MHz,线性度小于3%,接收机噪声系数小予8dB.