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从di/dt损坏机制、定量公式入手,分析了国内外有关di/dt的著作、文章,研究了提高晶闸管器件di/dt能力的各种有效方法,给出了一个常规新设计及其研究成果。 相似文献
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从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。 相似文献
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对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析,提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力,理论上,双边对称突变结结构更有利于提高反向过电流能力。 相似文献
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从晶闸管的可靠性、晶闸管换向关断时间公式、晶闸管的通态特性、高频晶闸管器件以及晶闸管两次扩散参数匹配等方面论述了研究晶闸管维持电流的意义,推导证明了新的晶闸管维持电流的定量公式,并以研制生产的小功率高频晶闸管为实例,验证了这一公式的正确性,进而对其在应用上的条件及指导意义做了必要说明。 相似文献
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绝缘栅型双极晶体管（IGBT）过电压击穿是一种常见的失效形式。由于电路中存在杂散电感,关断时会产生瞬间的高电压而引起动态雪崩击穿。通常误认为发生雪崩击穿是造成IGBT过压失效的根本原因。针对此问题,基于IGBT基本结构和PN结雪崩击穿原理,利用SilvacO软件仿真IGBT正向阻断以及关断瞬态时的电流密度分布,并从能量的角度深入分析得出过电压击穿的本质是结温过高引起的热失效,并从理论上给出了几种改进措施,为IGBT的正确使用与工艺改进提供理论参考。 相似文献
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叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性,在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上,说明了通态模拟函数的理论依据及运用maflab程序的制作方法,阐述了采用通态模拟函数的现实意义。 相似文献
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回顾了中国国内专家自1970年以来的功率半导体器件专著，摘要说明了这些专著的内容、历史意义、对行业发展的巨大推动作用。 相似文献
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列表并逐一介绍了从1984年开始翻译出版的九本功率半导体器件专著，简述了这些专著对教学、理论研究等领域的影响，说明了认真学习这些专著的意义。 相似文献
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在阐明车用雪崩二极管的并联必然性同时,从其关联均流的基本问题出发,通过实验对比,给出了正向通态电流的均流条件,以及反向雪崩电流发生时的均流形式。用详实的数据与理论验证,为车用雪崩二极管的选择,建立了基本的依循原则。 相似文献
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