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总结了强电场下半导体光电导开关呈现出的引发、维护及恢复过程的非线性特性,对丝状电流的特点及辐射复合在lock-on效应中的作用进行了讨论,描述了高倍增半导体光电导形状在脉冲功率系统中的应用 。 相似文献
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高压超快GaAs光电导开关的研制 总被引:5,自引:2,他引:3
本文首次报导了采用全固态绝缘,微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果,该器件的耐压强庶35kV/cm,典型的电流脉冲上升时间为200ps,电流达100A。并在实验中观测到典型的高倍增现象。 相似文献
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本文对LEC不掺杂SI-GaAs的热处理特性进行了实验研究和分析。结果表明,As、Ga原子从表面挥发及缺陷的内扩散引起表面热蚀和热致导电层的形成。文章讨论了它们对注入层激活行为的影响。指出,采用本文设计的高温快速热处理结合压盖、InAs作过砷压源技术,可以获得满足注硅材料退火要求的SI-GaAs热处理特性。 相似文献
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高压超快 GaAs 光电导开关的耐压设计与绝缘保护 总被引:7,自引:0,他引:7
通过对Au/Ge/Ni电极结构的最佳化设计,采用Si3N4硅凝胶钝化/保护技术,首次研制出一种全固态的GaAs横向高压光电导开关。器件具有理想的暗态伏安特性,绝缘强度达35kV/cm。 相似文献
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用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值为NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分别以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作为ET1和ET2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。 相似文献
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高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 总被引:9,自引:3,他引:6
本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增GaAs光电导开关中的光激发畴现象.分析了畴的产生与辐射发光在Lock-on效应中的作用.指出正是光激发畴的性质与行为决定了GaAs光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性. 相似文献
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光电导开关的载流子倍增机理 总被引:1,自引:1,他引:0
提出一种解释GaAsPCSS中非线性过程的理论模型,其要点是:1)超快激光脉冲在强场下对GaAsPCSS注入电子—空穴对,形成偶极畴;2)偶极畴在电场作用下引入空间电场畸变,建立起发生碰撞电离的势垒区;3)碰撞电离激发引起载流子倍增及电致发光过程,自吸收使得载流子产生的行进速度加快;4)移至电极处的势垒区使器件呈现Lock—on现象。上述过程的计算结果能很好地解释有关实验现象。 相似文献
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