LED受ESD冲击前后性能的变化分析

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。     

钛酸铝材料反常热膨胀特性的分析研究

铁稳定钛酸铝材料在８５０￣９５０℃之间热膨胀有一个特殊变化,即出现反常负膨胀。本研究通过对试样的热膨胀分析、Ｘ－ＲＡＹ分析和ＳＥＭ分析,探明了造成这一变化的原因。     

用MOCVD法在LiGaO2(001)上生长GaN的研究

LiGaO₂单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO₂(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO₂(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO₂在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.     

InN和GaN系衬底材料的研究和发展

InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料.虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要.本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景.     

功率型LED散热器的研究

分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性.散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器的技术手段及其研究内容.从对流散热、辐射散热、热传导和相变散热等多个方面介绍了一些典型散热器在功率型LED散热中的应用,并提出了未来LED照明散热设计的方向.     

摄像机动态范围测试专用灯箱的研制——LED照明技术在专业测试设备中的应用

详细论述了在应用LED照明技术进行开发和研制摄像机动态范围测试灯箱过程中遇到的诸多技术问题，成功试制出摄像机动态范围测试专用灯箱设备，该设备在摄像机动态范围评测技术方面填补了相关领域国内空白，有广阔的市场前景，对摄像机及视频监控行业的技术发展有着深远的意义。     

氟化钙(CaF2)晶体研发进展

简述了氟化钙(CaF2)晶体的发展历史．总结其光学特性，介绍了氟化钙晶体的生长新工艺技术和发展。综述了氟化钙晶体在现代信息技术中的应用，特别对氟化钙晶体在紫外波段激光或光刻系统中的应用和发展状况作了重点说明，同时进一步指出了目前存在的问题，最后对氟化钙晶体的发展前景作了展望。     

光刻系统用氟化钙晶体的研究进展

解释了氟化钙晶体能被应用在光刻系统和掀起研究热潮的原因,概述了氟化钙晶体的研究和发展现状,指出了目前氟化钙晶体在研究和发展过程中要解决的重要问题和措施,最后对氟化钙晶体在光刻系统中的发展前景作了展望.     

上海世博促进LED照明应用

LED照明的大量应用,既能符合“生态世博,科技世博,人文世博”的理念,又展示了LED创新成果,对LED照明工程的起到示范推广作用。同时,还充分考虑了世博会会后的后续利用和可持续发展需要,展示和延续“城市,让生活更美好”的主题,促进半导体照明产业技术能级提高,推动半导体照明产业规模化发展。     

智能照明控制系统发展及趋势

对照明控制系统的发展历程进行了综述回顾,探讨了照明控制的基本策略,通过对照明控制系统相关技术的分析,阐述了照明控制系统的发展方向,以及网络化智能照明控制系统的最新进展。