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1.
吲哚-3-甲醛与2-羟基-5-甲氧基苯乙酮进行羟醛缩合反应,生成一种吲哚基姜黄素类似物1-(2-羟基-5-甲氧基苯基)-3-(3-吲哚基)-2-烯-1-酮,在不同的催化剂、温度、溶剂等条件下,探索研究合成反应所需的最优工艺条件,采用合适的方法分离提纯得到纯净产品。通过熔点测定、氢核磁共振分析法、质谱分析法等对合成产物进行分析,并研究其抗氧化生物活性。结果表明,该化合物均具有清除DPPH自由基、羟基自由基的能力,表现出明显的抗氧化活性。  相似文献   
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3.
采用低温气体渗氮工艺对1Cr17和1Cr17Ni2不锈钢进行表面改性处理.利用光学显微镜、X射线衍射分析(XRD)、X光电子谱分析仪(XPS)、显微硬度计等研究了不同工艺下渗氮层的组织结构和硬度,获得渗层增长动力学曲线,分析合金元素对渗层组织结构和渗层增长的影响.结果 表明:采用低温气体渗氮处理可在不锈钢表面形成一定厚度的致密且完整的改性层,不锈钢表面硬度显著提升.渗氮层主要由含氮“膨胀”α相(αN)和F%-3N相组成.Ni元素有利于含氮“膨胀”α相的形成和渗层厚度的增加以及渗层硬度的提高.  相似文献   
4.
多媒体技术是当今信息技术领域发展最快、最活跃的技术,是新一代电子技术发展和竞争的焦点。本文通过对多媒体技术的应用现状和发展趋势的分析,使我们展望到,随着日益普及的高速信息网,它正被广泛应用在咨询服务、图书、教育、通信、军事、金融、医疗等诸多行业。  相似文献   
5.
水性紫外光固化技术是一种绿色环保的技术,而水性光引发剂是紫外光固化水性体系中的重要组成部分。本文综述了水性均裂碎片型光引发剂(包括水性安息香衍生物类和水性苯乙酮衍生物类)以及水性氢转移型光引发剂(包括水性蒽醌类、水性硫杂蒽酮类、水性二苯乙二酮类和水性二苯甲酮类)的性能及研究现状,指出水性光引发剂发展的主要方向是水性大分子光引发剂和水性可聚合光引发剂。  相似文献   
6.
基于因特网的远程教育是计算机技术和网络技术在教育领域最重要的应用之一。然而发展基于因特网的远程教育的核心心在于构筑基于网络的多媒体教学系统。作为计算机教育的主要场所,学校更是应该顺应时代需要,利用网络将计算机教育推向一个更高的层次。本文针对当前计算机教育的现状结合实际教学的体会,提出了基于网络教学模式的新型教学模式改革的几点看法。  相似文献   
7.
韦星船  霍梦月  郑成  段彦飞  杨前程  蔡伟平 《化工进展》2014,33(8):2155-2159,2205
通过芳香醛与4-乙酰基吡啶在酸碱条件下催化缩合,合成了4个单羰基姜黄素类似物A1~A4,并研究了其对酪氨酸酶的抑制活性。结果表明,3-(4-羟基-3,5-二甲氧基苯基)-1-(4-吡啶基)-2-烯-1-酮对酪氨酸酶具有强抑制活性,半数抑制浓度(IC50)为45.1μmol/L,是姜黄素(IC50= 97.1μmol/L)的抑制活性的2.2倍。抑制动力学研究表明,3-(4-羟基-3,5-二甲氧基苯基)-1-(4-吡啶基)-2-烯-1-酮对酪氨酸酶的抑制作用类型属于竞争性抑制。  相似文献   
8.
刘瑞良  石宇  杨前程  闫牧夫 《表面技术》2019,48(11):124-130
概述了典型低温热扩渗技术种类与特点,归纳了低温热扩渗技术研究的材料体系以及合金元素对不锈钢表面低温热扩渗层的形成及稳定性的影响。重点综述了奥氏体不锈钢表面低温热扩渗层制备技术和"膨胀"γ相层稳定性研究的发展现状和取得的成果,包括奥氏体不锈钢表面低温渗氮技术制备的含氮"膨胀"γ相层,低温渗碳技术制备的含碳"膨胀"γ相层,以及低温氮碳共渗和低温渗氮+低温渗碳或低温渗碳+低温渗氮复合技术制备的含氮、碳"膨胀"γ相层等低温热扩渗层的稳定性及其合金元素影响的研究现状,包括气体法、液体法、等离子体法和等离子体湮没注入法等。同时归纳了Co-Cr合金、高熵合金、马氏体不锈钢和铁素体不锈钢等材料表面低温热扩渗层的制备及"膨胀"α相层热稳定性的研究现状。基于不锈钢表面低温热扩渗层制备和热稳定性研究现状的分析,展望了未来不锈钢表面低温热扩渗领域,特别是低温热扩渗层稳定性的研究发展方向。  相似文献   
9.
高压电缆半导电屏蔽料主要由基体树脂、导电炭黑和加工助剂通过熔融混合加工而成。其中,加工助剂是影响高压电缆半导电屏蔽料品质的重要因素,然而加工助剂对高压电缆半导电屏蔽料性能的影响鲜有报道。该文采用熔融共混法制备导电炭黑(CB)/乙烯–丙烯酸丁酯共聚物(EBA)半导电屏蔽料,系统研究导电炭黑用量、分散剂类型与含量、交联剂类型与用量对半导电屏蔽料结构与性能的影响。采用扫描电子扫描显微镜和光学显微镜观察CB/EBA半导电屏蔽料内部微观结构和表面光洁度,通过电阻率测试仪和电子万能试验机评价CB/EBA半导电屏蔽料电性能和力学性能。实验结果表明:在导电炭黑质量分数为30%、分散剂N.N’-乙撑双硬脂酰胺为2.0%及交联剂双叔丁基过氧异丙基苯在1.0%时达到最优性能,半导电屏蔽料23℃和90℃电阻率为13.6Ω·cm和307.9Ω·cm,拉伸强度和断裂伸长率分别为18.5MPa和241.5%,且试样表面没有直径大于50μm的突起点,能够满足高压电缆屏的应用要求。此外,对比分析发现,我国自主研制的高压电缆半导电屏蔽料与国外同类产品拥有同等性能水平。该文工作为高压电缆半导电屏蔽料国产化提供了理论依据和数...  相似文献   
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