氮离子注入法合成CNx膜的化学键表征

采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究.通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2 C-N键;≈398.5 eV则属于sp3 C-N键.结果显示:碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量.     

氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响

采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.     

GW4型隔离开关安装调试的一个典型问题分析

隔离开关在电力系统中有着至关重要的作用,其性能的好坏直接关系到整个系统能否安全稳定运行。在就GW4型隔离开关的两侧导电杆长度对隔离开关性能的影响进行了分析之后,提出了相应的安装、调试注意事项。     

一起220 kV变压器轻瓦斯频繁报警分析

针对一起220kV变压器轻瓦斯频繁报警事件,通过色谱分析、停电检查等手段,找出原因,并提出解决办法。     

浅谈相关课程的互动教学——以“半导体器件物理”和“硅集成电路工艺基础”为例

随着全球信息化进程的加快,微电子产业在国民经济中占据了重要的地位。因此,让学生更好地学习相关应用课程对于推动微电子产业的发展具有重要意义。《硅集成电路工艺》和《半导体器件物理》则是微电子专业学生重要的两门课程。本文以此为例,提出"互动教学",旨在通过不同课程老师之间的相互合作,对教学内容、教学方法、软件教学等方面提出了探索性的改革思路和实践情况,为国家的研究型和应用技术型人才培养目标做出积极贡献。     

110kV主变压器绝缘油介损超标的分析及处理

分析了110 kV主变压器绝缘油介质损耗超标的原因,阐述了降低绝缘油介质损耗的处理措施和流程,为今后变压器油介损超标处理提供借鉴;并提出变压器油质劣化的防范措施及预防要点,避免和减缓油质的劣化。     

多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3的磁电阻研究

采用四探针法测量多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0.05,0.15和0.25)在磁场下的电阻率温度曲线.实验结果显示:①在0.45T磁场下,对于x=0和x=0.25的样品,几乎观察不到磁电阻(Magnetoresistance,MR)效应,而对于x=0.05和x=0.15的样品,磁电阻效应较明显.这种差异可能与样品中铁磁相是否占主导作用有关;②比较x=0.05和x=0.15这两种样品的MR机制,前者可能与载流子在弱连接晶界上的自旋相关散射有关,且其主要是非本征的;而后者主要是本征的.     

氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响

采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.     

加强实验室改革，培养创新型人才

结合现代高校和社会对大学生动手能力、实践能力和创新能力的要求,对现阶段高校实验室的现状进行了深入的分析。明确指出现代高校实验室的不足之处,提出高校实验室改革措施。避免实验室重复建设,促进实验室资源整合,提高资源利用率,使原本实验场地和设备都紧张的现状得到缓解,加强实验员队伍建设,培养创新型人才。     

柔性衬底上AZO薄膜的附着力特性研究

使用脉冲激光沉积(PLD)方法在柔性衬底PMMA和PET上制备了具有高c轴择优取向的AZO(ZnO∶Al)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和纳米划痕仪,研究了在不同衬底下生长的薄膜样品的晶体结构、光学性能和附着力。结果表明,两种柔性衬底上生长的AZO薄膜都是单一的ZnO六方相,可见光范围内光学透过率均大于85%;PMMA、PET衬底上AZO薄膜的临界载荷数值分别为31.31mN和16.97mN,PET衬底上ITO薄膜的临界载荷数值为40.55mN。