FSC及其在石蜡加氢装置中的应用

FSC系Honeywell公司的故障安全系统(fail safety control),属于联锁系统,石蜡加氢的这套FSC是首次在我厂应用.     

消失模铸钢件表面局部合金化研究

在泡沫模表面涂覆富钒涂层 ,利用液态铸钢浇铸时的高温和液态钢水的作用 ,使涂层被烧结成合金层 ,同时 ,涂层中的钒渗入铸钢基体组织中 ,形成渗钒层。结果表明 ,该工艺可以使钒渗入到铸钢基体中达 15 0 0～2 0 0 0 μm ,烧结层和渗钒层均为α (Fe ,V)单相组织 ,基体为铁素体和珠光体 ,渗钒层显微硬度与基体硬度相当 ,当涂层粉体粒度 <4 7μm时可得到理想的合金化渗层。涂层粉体粒度越小 ,钒原子在涂层中的扩散越容易 ,渗钒层中钒含量越高 ,渗钒层越厚。     

消失模铸铁件表面渗Cr工艺研究

在泡沫模表面涂覆富铬涂层，利用液态铸铁浇铸时的高温和液态铁水的作用，使涂层被烧结成合金层，同时，涂层中的铬渗入铸铁基体组织中，形成渗铬层。该工艺可以使铬渗入到铸铁基体中达100μm以上，合金化层与基体具有良好的冶金结合。由外向内，表层显微组织依次为烧结层、合金化层和基体层。烧结层是熔解了一定量合金元素的铁素体，合金化层为珠光体，基体层是珠光体＋片状石墨。沿着试样深度方向，显微硬度变化逐渐升高后再缓慢下降．显微硬度变化在250-350HV之间。     

退火条件对FeCuNbSiB非晶带材应力阻抗效应的影响

研究了退火条件对非晶FeCuNbSiB带材应力阻抗性能的影响。结果表明,当退火温度为300℃时,FeCuNbSiB非晶带材开始慢慢晶化,当温度上升到500℃时,带材内部结构已由非晶态完全转变成晶态。当退火温度低于300℃时,退火能够消除部分应力,使阻抗变化的灵敏度提高;但当退火温度高于300℃时,随着退火温度的升高,应力阻抗效应减弱。退火时间超过1h,延长退火时间,对带材的应力阻抗性能影响不大。非晶FeCuNbSiB带材经100℃×2h的退火处理后,应力为2.7MPa时,应力阻抗变化可达26%。     

空调压缩机机座的消失模铸造工艺

针对消失模铸造空调压缩机机座时通常出现的粘砂、冷隔、晶粒网纹、成品率低等问题，采用一种新型、醇基、高强度、高透气性涂料以及优化的工艺系统设计，探索出一套适合于空调压缩机机座的消失模铸造工艺，可成功地用于空调压缩机机座的批量生产。     

消失模铸铁件表面渗钒工艺研究

在泡沫模表面涂覆富钒涂料，利用浇注时的高温和铁液的作用，使涂层被烧结成合金层，同时，涂层中的钒渗入铸铁基体组织中，形成渗钒层。结果表明，铸铁表面形成富钒的铁基涂层厚度达500μm以上；同时，涂层中的钒原子进入到铸铁基体中达1mm以上，使基体中出现合金化层；涂层与基体具有良好的冶金结合。由外向内，铸件表层显微结构依次是涂层、合金化层和基体。涂层和合金化层以溶解一定量合金元素的铁素体为主，基体层是铁素体＋石墨。钒原子与硅原子在涂层的表面浓度最大，随后逐渐降低。在合金化层中氧原子浓度很高，且在涂层与合金化层的界面区域出现了氧原子堆积。涂层的显微硬度范围500～800HV。     

退役飞机薄壁铝合金材料再生技术

退役飞机材料中铝合金薄壁件占有很大比例，无法直接利用，必须进行重熔处理。其熔炼困难之处在于：①壁薄，炉料级别高（多为三级）；②经过特殊处理的铝合金表面氧化严重；③合金中镁量高。所以，对此类铝合金材料必须进行特殊的工艺处理。其主要工序如下：清理表面→打捆→熔炼→过滤→浇铸成锭→成分化验→配成成品合金或配成中间合金锭。（1）清理表面与打捆重熔之前须刨去材料表面涂层，直至露出基体为止。为防止进一步氧化，要将材料打包成紧密的捆，每捆的大小团坩埚的体积而异。（2）熔炼镁在熔炼过程中破坏了氧化铝膜的致密度，增…     

升流式厌氧污泥床二次启动试验研究

目的将已经停运3个月的升流式厌氧污泥床二次启动,研究了二次启动过程及各个运行参数的影响,为实际应用提供科学方法和实验依据.方法采用动态连续进水,调节适当的pH值、碱度,逐步提高负荷,控制水浴保温35±1℃,研究UASB反应器二次启动过程.结果经过42 d的运行,完成了反应器二次启动,此时COD质量浓度为10 120 mg/L,COD容积负荷达到19.4 kg/(m3.d),COD去除率高达84.7%,沼气产量高达每去除1 kg COD产生0.44 m3.结论控制启动过程中各种运行参数,可以在短期内恢复到最大负荷,完成二次启动过程.     

碳纳米管的剪切研究

将碳纳米管放入浓硫酸和浓硝酸(3∶1)的混合溶液中,通过长时间超声处理剪切碳纳米管,TEM观测确认,碳纳米管被剪断,长度由1μm以上减小到300nm以下。     

阵列式碳纳米管研究进展

阵列式碳纳米管(Aligned Carbon Nanotubes or ANTs)是指碳纳米管垂直于基底生长形成的碳纳米管阵列,在场发射管和生物传感器等领域具有潜在应用价值.介绍了阵列式碳纳米管的主要制备方法和应用.