高Bs高μi MnZn铁氧体材料的制备及性能

采用合适的配方和复合掺杂制备了一种高饱和磁感应强度和高起始磁导率的MnZn铁氧体材料,这种材料具有较高的居里温度TC和较低的功率损耗PL.研究了添加剂对磁性能的影响,结果表明,采用合适的烧结工艺,添加适量的Bi2O3、TiO2、V2O5、CoO及Nb2O5有利于材料i、Bs和TC的提高及材料PL的降低.     

Zn含量对NiZn铁氧体材料微观结构及磁性能影响

采用固相反应法制备NiZn铁氧体材料,研究了配方中ZnO含量对材料微观结构及磁性能的影响.结果表明,ZnO在固相反应法制备NiZn铁氧体材料过程中有助熔作用,增大Zn含量,材料的晶粒尺寸增大,但均匀性变差;同时,非磁性Zn2+增多,材料的起始磁导率显著增大,但因居里温度过低,饱和磁感应强度和矫顽力均显著降低.     

Ta2O5对高BsMnZn功率铁氧体微结构及磁性能温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体,研究了Ta2O5对材料微结构及磁参数温度特性的影响。结果表明,随着Ta2O5含量的增加,材料的平均晶粒尺寸逐渐增大,密度略有增加,磁导率(μi)呈先增大后降低的趋势,磁损耗(Pcv)则先降低后增加,当Ta2O5含量为0.015wt%时,常温下μi与Pcv分别达到最大值与最小值。材料的饱和磁感应强度(Bs)随着Ta2O5含量的增加而先增大后降低,在添加0.025wt%Ta2O5时达到最大值,25℃、100℃及120℃的Bs分别为578mT,495mT和469mT。     

添加CaO和MoO3对MnZn铁氧体磁导率及阻抗频率特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了CaO和MoO3添加对材料磁性能的影响。添加CaO可以形成高阻晶界层,增大材料电阻率,明显增大材料的中频阻抗。添加MoO3能促进晶粒长大,提高起始磁导率,但磁导率频率特性变差。当复合添加0.04wt%CaO和0.07wt%MoO3时,材料具有较好的综合性能:μi=11495,μ200kHz/μ10kHz=98%,T25×15×8的环状磁心在50mV、500kHz测试条件下,阻抗Z=2255。     

SiO_2包覆对FeSiCr磁粉心性能的影响

首先将FeSiCr金属粉末经0.9 wt%磷酸磷化处理,然后对其采用SiO_2进行包覆、成型及退火处理制备了FeSiCr磁粉心,研究了SiO_2包覆量对FeSiCr磁粉心电阻率、功率损耗、直流叠加特性、磁导率及其频率特性的影响。结果表明,采用SiO_2包覆会降低磁粉心的密度、磁导率与饱和磁化强度,但是可以提高电阻率与截止频率,减小功耗,改善直流叠加特性。     

ZnO含量对MnZn铁氧体频率特性和直流叠加特性的影响

采用传统的陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体材料,研究了ZnO含量对材料频率特性和直流叠加特性的影响。结果表明:截止频率随ZnO含量的增加先降低后增高,磁导率越高,截止频率越低;高饱和磁感应强度是获得较好直流叠加性能的基础;随叠加直流的增大,ΔBs-r(=Bs-Br)逐渐增大,而后开始缓慢下降,ΔBs-r较大的样品,其直流叠加特性较好;磁导率随叠加直流的增大先增加后缓慢减小,最后趋于平缓。     

较高磁导率高饱和磁通密度HN120BNiCuZn材料的研制

根据平板显示器对软磁铁氧体材料性能的要求,通过优化配方组成,采用TiO2-V2O5、Bi2O3等复合添加剂,针对不同原材料粉体采取的不同工艺处理技术,研制了在常温下起始磁导率(μi)为1200、饱和磁通密度(Bs)大于360mT、居里温度(TC)高于160℃以及具有较高电阻率的NiCuZn铁氧体材料,并已实现小批量生产.     

Ni取代对MnZn铁氧体磁特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn铁氧体材料,研究了配方中Ni(以NiO的形式)取代Mn对MnZn铁氧体微结构及磁性能的影响。结果表明,配方中Ni取代会造成磁导率下降、损耗增大,但适宜的取代量可以提高MnZn铁氧体材料的高温饱和磁感应强度,当取代量为3.5mol%时,MnZn铁氧体100℃下的饱和磁感应强度可以高达492mT。