全文获取类型
收费全文 | 241篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 4篇 |
学科分类
工业技术 | 246篇 |
出版年
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 12篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 14篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 50篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有246条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
随着信息化、数字化技术的发展,学生获取知识的渠道增多,传统的教学方法已不适应现代社会的发展,进行课程教学改革势在必行。从多晶硅生产技术项目化课程设计、实践教学、课程考核、教学形式和方法入手,提出解决这些问题的具体意见和建议。自《多晶硅生产技术》实施课程项目化教学改革以来,学生综合素养、自主学习能力普遍比未实施课改的学生强。 相似文献
2.
3.
目前国内多晶硅生产中,还原炉多采用高电压击穿的方式启动,但国外多晶硅生产中多采用低电压击穿,一些进口还原炉采用了低电压启动的结构设计。现本文将以MSA还原炉为例,分析阐述满足低压启动还原炉改成高压启动条件,对炉体结构的改造方案。 相似文献
4.
5.
Bor Wen Liou 《Thin solid films》2009,517(24):6558-1090
In this work, the design and fabrication of Au/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) with various edge termination schemes, including a reduced-surface-field-type lateral super-junction, a polycrystalline silicon (poly-Si) floating ring, and a p+-poly-Si guard ring, are presented. Experimental results show that the reverse leakage current of the proposed SBDs was reduced and the breakdown voltage increased with an increase of the poly-Si width of the guard ring.It was found that the device and fabrication technology developed in the present study is applicable to the realization of SBDs with a high breakdown voltage (≥ 160 V), a low reverse current density (≤ 5.6 μA/cm2), a low forward voltage drop (≤ 5.6 V @ 1 A/cm2), and an adjustable Schottky barrier height of 0.764 to 0.784 eV. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.