火试金富集 电感耦合等离子体发射光谱法测定分金渣中的铂和钯

为对铜冶炼中间物料分金渣中的铂和钯进行准确、快速的分析，建立了火试金富集 电感耦合等离子发射光谱（ICP AES）法测定分金渣中铂和钯的方法。研究先利用火试金法将试样中的铂、钯预富集得贵金属合粒，合粒经硝酸分金，王水溶解后，在10%王水介质下用ICP AES同时测定铂和钯。该研究对熔剂配料方案、灰吹温度、ICP AES分析谱线、测定的介质和酸度等试验条件进行优化，确定了最优试验条件；同时，通过试验确定合粒溶解过程中的氯化银沉淀和其他共存元素不会干扰铂、钯的测定。此外，精密度试验和加标回收试验验证了该方法的可行性。按照该方法测定分金渣中的铂和钯量，RSD为0.46%～2.02%，精密度高，准确度好，加标回收率为99.50%～101.14%，取得了满意的结果。试验结果表明，该方法能够满足铜冶炼分金渣中铂、钯的日常快速准确的测定要求。     

IMU松耦合的KinectFusion算法改进

针对KinectFusion算法中采用frame-to-model ICP进行位姿估计时经常发生位姿丢失的问题,提出了使用惯性测量传感器IMU进行松耦合的算法改进。通过使用IMU采集到位移数据结合ICP算法实现位姿估计,意图在快速移动或者采集的图像数据缺少有效配准点的情况下保证相机跟踪不丢失,增强KinectFusion算法的整体鲁棒性。通过实验,将提出的算法与原有的算法进行比较,结果表明这里算法在没有明显降低实时性的情况下,其鲁棒性上优于原有算法,可以满足移动机器人的实时SLAM需求。     

ICP刻蚀技术在MEMS中的应用

MEMS系统和器件作为半导体行业中的尖端产品,在制造过程中,其刻蚀工艺成为MEMS器件制作中一个重要的环节,因此对其刻蚀过程中的参数选择变得越来越重要。应用ICP刻蚀机制备一个U型槽的刻蚀,研究上电级功率和压力对刻蚀效果的影响,进而影响MEMS器件的质量。做好实验记录,观察实验结果并分析,通过图片和其他数据参数反映MEMS器件的刻蚀效果与质量。     

基于三维点云的机械加工精度自动检测方法

本文提出了一种基于三维点云的零件精度自动检测方法,对传统ICP(迭代最近邻点)方法进行改进,将基于配准误差的点对权值添加到坐标转换参数和总体残差的迭代计算过程中,克服了误差点对配准的影响;根据误差分布假设检验原理设计加工精度快速评价方法,帮助质检人员快速识别问题零件,提高检测效率和精度;通过试验验证了改进ICP算法对局部误差点云配准的鲁棒性以及加工精度评价方法的准确性。     

ICP—OES法测定钛合金中A1元素含量的不确定度评定

将钛合金样品用10mL1：1硫酸溶解后,用ICP—OES法对其中A1元素含量进行测定,测得样品中W（A1）=6．91％。对测定过程中的不确定度来源进行了分析,依据不确定度评定的步骤,计算得到了各分量标准不确定度及合成标准不确定度,W（A1）测定结果的扩展不确定度为U=0．17％,K=2。     

ICP-AES法测定天青石中主次量元素的研究

采用偏硼酸锂熔样,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法,对天青石样品实现了一次熔样,主次量元素同时分析。对影响其光谱测量的各种因素进行了较为详细的研究,研究了实验的最佳测定条件。结果表明,方法的检出限为0.0011-0.022lμg·ml-1,回收率为92.87％-106.37％,RSD小于3.89％。该法准确、快速、简便,应用于天青石样品中主次量元素的测定,结果满意。     

应用ICP-AES法测定稀土硅镁中间合金的化学成分

应用全谱直读等离子发射光谱仪测定稀土硅镁中间合金的化学成分,结果表明以La、Ce、Pr、Nd的含量之和近似替代稀土总量是可以满足日常检验的要求的。     

基于空间参数转换的输电线铁塔监测分析

高精度、高效的监测对铁塔的管理与维护具有重大意义。针对目前三维激光技术在铁塔监测中存在点云数据冗杂,点云单点精度不能满足铁塔监测精度要求,同时不能准确反映铁塔整体特征变形情况等问题,提出利用三维激光扫描不同时期铁塔点云,通过采用ANSYS有限元软件荷载分析方法和优化ICP算法提取,得到同一坐标系两期铁塔重点监测部位的同名特征点,基于空间参数转换模型解算出重点监测部位的旋转参数和平移变化量,进而对铁塔进行变形分析。实验结果表明,该技术在进行实际铁塔监测中具有较高的监测效率和精度,具有较好的应用前景。     

类阳极氧化铝纳米结构LED的研究

LED具有高效、节能和环保等优势,广泛应用于照明领域,提高LED的发光效率一直是该领域的研究难点与热点。为了降低GaN材料与空气界面的全反射现象,提高光提取效率,本研究探讨了类阳极氧化铝AAO(Anodic aluminum oxide)纳米结构LED器件的制备和性能。通过电感耦合等离子体(Inductively coupled plasma, ICP)刻蚀工艺的调控,在p-GaN层表面制备了大面积有序孔洞纳米结构阵列,可获得孔径250~500nm,孔深50~150nm的准光子晶体结构,从而大幅提高了LED的发光强度,其中孔径400 nm、深度150 nm的纳米阵列LED相比于没有纳米阵列的LED发光强度提高达3.5倍。