多晶硅表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状

在多晶硅太阳能电池的生产过程中, 金刚线切割技术(Diamond wire sawn, DWS)具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点, 受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅, 与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配, 金属催化化学腐蚀法应运而生。金属催化化学腐蚀法制绒具有操作简单、结构可控且易形成高深宽比的绒面等优点, 具有广阔的应用前景。本文总结了不同类型的金属催化剂在制绒过程中的腐蚀机理及其形成的绒面结构, 深入分析和讨论了具有代表性的银、铜的单一及复合催化腐蚀过程及绒面结构和电池片性能。最后对金刚线切割多晶硅片表面的金属催化化学腐蚀法存在的问题进行了分析, 并展望了未来的研究方向。     

多晶硅锭中硬质点分析及控制研究

以多晶硅锭中硬质点为研究对象,通过实验研究和数值模拟的方法,对多晶硅锭中硬质点进行形貌和成分分析,并提出改善控制方法。研究结果表明硅锭中部的硬质点较细小,主要由SiC组成;硅锭头部的硬质点较粗大,主要由SiC和Si3N4组成,还有少量O的存在。进一步研究发现多晶硅定向凝固铸锭炉的热场结构对于多晶硅锭硬质点形成有直接影响,通过改进热场结构,优化晶体生长界面,显著减少了铸锭中硬质点的数量。     

电子级多晶硅生产技术

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。     

多晶硅生产中残液搅拌罐密封结构的改造

在处理多晶硅生产中产生的残液时,残液搅拌罐填料密封出现泄漏,针对此问题提出了优化措施,达到了预期效果。     

大全多晶硅项目扮靓“西洽会”

日前，在第十一届“西洽会”会上，大全集团与重庆万州区政府盐气化工园签订多晶硅系列产品生产项目，总投资40亿元。硅材料是全球太阳能产业、信息产业、国防军事领域、半导体工业等领域不可缺少的高科技新材料，大全将来不仅能生产出太阳能级多晶硅，还能制造出电子级多晶硅，具有重大的战备意义。大全集团致力于在西部创业、发展，不仅是为西部经济发展做出贡献，也为企业自身拓宽发展空间。     

多晶硅微型电极阵列的研制

讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法.实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法.     

多晶硅及有机硅工业副产物综合利用技术

介绍了我国多晶硅、三氯氢硅、有机硅单体工业的发展现状及其面临的问题--氯硅烷副产物的综合利用问题,提出利用氯硅烷在氢氧焰中进行高温水解缩聚反应,制备纳米级气相二氧化硅,这是既环保又经济的方法.它既解决氯硅烷副产物的出路问题,又能够真正实现节能减排,资源相互利用,对社会、经济和环保具有重大意义.     

用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜

在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4＋H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温（小于等于550℃）制备多晶硅（poly-Si）薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。     

综合新闻

今年全球半导体产业可望达2位数增长幅度,重庆万州将投资100多亿元打造多晶硅之都,中芯武汉厂开工预计后年投产,台积电和ARM合作显著降低65nm低功耗测试芯片的功耗,为确保货源日硅品圆厂商纷纷签订长期合约。[编者按]