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1.
The effect of interstitial hydrogen on the cohesion of the Al ∑ =11(113) grain boundary (GB) is investigated based on the thermodynamic model of Rice-Wang using the first-principles density tunction calculation. I he results indicate that interstitial H behaves as an embrittler from "strengthening energy" analysis. The reduced GB cohesion due to the presence of H at the GB is attributed to the low affinity between H and Al, and the weakened bonding of Al atomic pairs perpendicular to GB plane.  相似文献   
2.
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.  相似文献   
3.
电镀镍及铁镍合金薄膜的热膨胀研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用高温X射线对4种成分的电镀Fe-Ni合金薄膜和电镀Ni膜及Ni粉的热膨胀特性进行了研究,结果表明:电镀薄膜普遍具有织构,且热膨胀系数普遍高于相同的体材料的热膨胀系数,同时在一定程度上仍保持与相同体材料相似的特性,这些差异可能是电镀薄膜的织构所致。  相似文献   
4.
静电键合在高温压力传感器中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
分析了硅-玻璃静电键合界面受热循环作用,或者受反向电压作用后,在高温时,键合力的特点,实验验证了高温(450℃)时键合面牢固、稳定。研究结果表明高温压力传感器可以采用静电键合技术进行封装。  相似文献   
5.
盐度突降对栉孔扇贝(Chlamys farreri)抗病力指标的影响   总被引:8,自引:0,他引:8  
通过室内模拟实验研究了海水盐度突降对栉孔扇贝抗病力的影响.设盐度20、25两个处理,以盐度31为对照.将扇贝从盐度31的暂养海水直接转到设计盐度,分别于0h、1h、4h、12h、24h、48h、72h采血分析血细胞数目、血浆蛋白含量、超氧化物歧化酶(SOD)活性、酸性磷酸酶(ACP)活性.72h注射细菌攻毒,记录存活率.结果表明,盐度突降使血细胞数和SOD活性总体下降,而血浆蛋白含量和ACP活性总体升高.攻毒引起的上述抗病力指标的变化趋势与盐度突降相同,但处理组的响应幅度均低于对照,存活率显著降低.上述结果说明盐度突降损害了栉孔扇贝抵抗感染的能力.  相似文献   
6.
The process of dislocation multiplication has been described hv chaos theory, trying to reveal the connection between the microstructures on the mesoscopic scale and the mechanical properties of material on the macroscopic scale. The relationship between the dislocation velocity exponent and the maximum of strain rate is given. The results obtained from logistic equation with exponent and the dislocation multiplication dynamic equation are compared. A scale law in one-dimension-map model with exponent is shown when the exponents of equations are changed.  相似文献   
7.
应用MEMS技术加快微小卫星及微卫星的发展   总被引:4,自引:1,他引:3  
介绍了MEMS技术的重要性及在微小卫星及微卫星上的应用情况和发展趋势.  相似文献   
8.
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响   总被引:11,自引:0,他引:11       下载免费PDF全文
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.  相似文献   
9.
多晶硅薄膜的高温压阻效应   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0~560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.  相似文献   
10.
多晶硅薄膜压阻系数的理论研究   总被引:10,自引:5,他引:5       下载免费PDF全文
利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.  相似文献   
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