VCR412在OTR轮胎胎侧胶中的应用

试验研究高顺式聚丁二烯复合橡胶VCR412在全钢巨型工程机械子午线轮胎胎侧胶中的应用。结果表明：配方中在相同的炭黑用量情况下与镍系顺丁橡胶相比高顺式聚丁二烯复合橡胶定伸更高,且具有较好综合物理性能及较低的压缩生热;在同等300%定伸VCR412配方炭黑减量相比镍系顺丁橡胶炭黑量不变情况下,综合物理性能更好且具有优异的抗屈挠裂口增长性能及更低压缩生热。     

氢化物原子荧光光谱法测定海洋沉积物中砷和汞

本文研究了海洋沉积物样品前处理方法同时具有提取砷、汞以及仪器操作条件,载流酸度,还原剂对原子荧光强度的影响。本方法具有操作简单、快速、灵敏度高等优点,检出限砷为0.30μg/L,汞为0.05μg/L,相对标准偏差分别为1.5%~9.7%,1.2%~9.6%,回收率为92%~109%。     

基于改进遗传算法的配电网网架结构优化规划

配电网网架优化规划是一个具有多约束、非线性和离散性的复杂组合优化问题。对传统遗传算法进行改进,以线路投资、运行和用户停电损失费用最小为目标函数,采用基于生成树的拓扑分析方法,对初始种群进行选择,避免随机生成初始种群速度慢的缺点;采用最优个体保存策略和两两竞争相结合对种群进行选择;引入自适应交叉和变异,避免了算法早熟。算例结果表明了该改进算法的有效性和收敛性。     

薄膜体声波传感器及其读出电路进展

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有高灵敏度、高工作频率,低功耗,小尺寸及制造工艺IC兼容的特点,使其成为高效能换能器和传感器的理想技术。基于FBAR的传感器,如高灵敏度质量传感器、DNA和蛋白质探测器、气体传感器、水银离子探测器和微区质量探测器,与采用其他微电子机械系统的同类传感器相比,已取得了更好的传感性能。该文综述了FBAR传感器的进展,特别是FBAR高灵敏度传感器、FBAR谐振式传感器及其高频读出电路;提出了采用六端口反射计实现FBAR换能器的射频频率偏移信号读出、基于单片微波集成电路或低温共烧陶瓷工艺制备的六端口网络构建集成FBAR传感器的原创设想。     

薄膜体声波谐振器微加速度计惯性力敏特性

研究了由硅微质量块-悬臂梁惯性力敏结构和氮化铝(AlN)薄膜体声波谐振器(FBAR)检测元件集成的FBAR微加速度计表头的惯性力敏特性。采用有限元(FEA)静力学仿真,得到惯性力载荷作用下硅微悬臂梁上的应力分布;选取最大应力值作为载荷,基于第一性原理计算纤锌矿AlN的弹性系数与应力的关系式,预测惯性力载荷作用下AlN弹性系数的最大变化量;采用谐响应分析,预测FBAR微加速度计的加速度-谐振频率偏移特性。分析得到：惯性力载荷作用下,FBAR微加速度计的谐振频率向高频偏移,灵敏度约为数kHz/g;其加速度增量-谐振频率偏移特性曲线具有良好的线性度。     

辽河油田:“压防+筛管”复合防砂技术攻坚难采区块

正截至3月2日,辽河油田金海采油厂压防+筛管复合防砂技术在小洼油田两个难采区块实施24井次,开井15口,累计增油3000多吨。与单一的防砂技术不同,该技术打的是"组合拳",是将压裂防砂技术与筛管防砂技术有机结合,先利用压裂设备将地层压出一条微裂缝,后将"石英砂"、"树脂砂"挤入炮眼以及套管以外油层亏空处及裂缝中,     

完整性与非完整性井壁应力模拟分析研究

井周应力分布研究可通过解析解和数值解两种方法求解,其中完整性井壁根据井眼力学模型,采用内外边界条件解析求解和数值求解两种方法均可求得,而非完整性井壁由于其复杂性和特殊性难以应用解析解模型求解.文章应用有限元数值解模拟方法开展完整性与非完整性井壁应力模拟分析研究,通过完整性井壁、单裂缝及正交裂缝非完整性井壁应力分布模拟研究,明确了完整性与非完整性井壁应力分布特征,为特殊非完整性井壁稳定性研究提供了基础性指导.     

经济评价“抠”出6600万

截至11月15日,辽河油田12个采油单位共实施措施前经济评价论证5122井次,否决低效措施398井次,今年减少风险性投入6600万元。     

基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数

结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级。计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-x Gex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加。由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-x Gex:H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。