Alq基有机发光二极管中Liq的“n型掺杂”机理研究

通过将Liq(8-hydroxyquinolinato-lithium)掺入电子传输层Alq(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)中,制备了具有不同结构的仅传输电子的单载流子器件。实验结果表明,掺杂器件的电性能劣于含Liq/Al复合阴极的非掺杂器件,优于含Al阴极的非掺杂器件,这表明掺入Alq的Liq没有产生明显的“n型掺杂”效应,其具有双重作用:掺杂后分散在Alq/Al阴极界面上的Liq以电子注入层的形式出现,通过增强电子注入来提高器件电流;掺杂后存在于Alq体相中的Liq由于自身的导电性差,对电子传输具有不利影响,从而降低了器件的电流。在电致发光器件的测试中,Liq的掺杂表现出类似的现象,掺入Liq的器件性能介于非掺杂具有Liq/Al阴极和Al阴极结构器件之间,三种器件的最大电流效率分别为3.96,4.27和2.27cd/A,并且在吸收光谱和光致发光光谱中观察不到电荷转移所带来的额外变化。     

PillGrade 3D起球自动评级检测系统的探讨

本文介绍了起球自动评级检测系统的原理及评价过程。评定结果与主观评定方法相比,可以避免因试样的花型、颜色不同而引起的评级差异,使评定结果更加准确、客观。     

镧掺杂铕的2,5-噻吩二羧酸-1,10-菲咯啉四元异核配合物的合成、表征及谱学性质

合成了5种新型镧掺杂铕的2,5-噻吩二羧酸(H2L)、1,10-菲咯啉(Phen)四元异核配合物,通过元素分析、TG-DTA、红外光谱法确定其组成为(EuxLay)2L3(Phen)2·4H2O(x∶y=0.90∶0.10、0.70∶0.30、0.50∶0.50、0.30∶0.70、0.10∶0.90),配体的羧基与稀土离子以螯合双齿配位。荧光光谱测试表明镧对铕的配合物有荧光浓聚效应。     

石榴酒发酵过程中真菌种群演替及风味物质代谢规律解析

应用高通量测序技术分析石榴酒发酵过程中真菌种群演替规律，并结合气相色谱-质谱法分析石榴酒中挥发性风味物质形成规律。结果表明：石榴酒发酵过程中主要真菌种群包含酵母属、有孢汉逊酵母属、毕赤酵母属、假丝酵母属及曲霉菌属等。有孢汉逊酵母属是石榴汁中的优势真菌，占总真菌种群相对丰度的57.84%～60.13%。酵母属是发酵4～8 d时期的主要酵母种群，占总真菌种群相对丰度的90.00%～97.26%。Granger因果分析表明酵母属是导致石榴酒中异丁醇、异戊醇等高级醇含量高的主要因素；非酿酒酵母，如有孢汉逊酵母、毕赤酵母等则对石榴酒中月桂酸乙酯、乙酸乙酯等酯类物质起主要贡献。本研究系统解析了石榴酒发酵的真菌种群结构及功能，对提升石榴酒品质及发酵可控性提供理论基础。     

户外功能性服装的检测与评价探讨

本文介绍了户外运动服装各种功能性的检测方法、评价指标。建议有关部门尽快制定户外运动服装的产品标准。     

乡镇集中式饮用水水源现状调查及保护对策

从保护乌当区乡镇集中式饮用水水源地角度出发,对乌当区建制乡镇10个饮用水源地水质进行分析和评价。在综合分析乌当区乡镇集中式饮用水水源现状的基础上,针对乌当区乡镇饮用水源地存在的安全问题提出了相应的保护对策及建议,为乌当区乡镇饮用水开发利用和污染防治提供一定的参考。     

钙钛矿氧化物LaNiO_3对结晶紫的光催化降解研究

采用了溶胶-凝胶法和流变相法合成出钙钛矿复合氧化物LaBO3(B=Co、Ni),用X衍射线和透射电镜TEM对其结构进行表征,重点研究了合成的催化剂对染料结晶紫的光催化降解条件。结果表明LaNiO3对结晶紫的降解有较高的活性,当结晶紫的浓度为10 mg/L时,紫外光照射,光照时间为8 h,pH=9,催化剂的投加量为2.5 g/L的条件对结晶紫光有较好的降解效果,降解率达到99.30%。     

轻稀土-2,5-噻吩二羧酸-1,10-菲咯啉三元配合物的合成、表征及谱学性质

合成了几种新型的轻稀土2,5-噻吩二羧酸-1,10-菲咯啉的三元配合物,通过元素分析、热分析、红外光谱法确定其组成为Ln2(L)3(phen)2·nH2O(Ln=La,n=2;Ln =Sm,Eu,Gd,n =4).重点研究了铕配合物的荧光性能,并测定其荧光寿命为0.83 ms.另以Gd3+配合物为模型化合物,通过低温磷光光谱确定了2,5-噻吩二羧酸配体的三重态能级为18200 cm-1,并通过低温磷光寿命的测定详细讨论了有机配体之间的分子内能量传递机制和效率.     

NTC热敏电阻材料的制备、性能优化及相关机理的研究进展

总结了NTC热敏电阻材料的类型和常用的制备方法.综述了材料基体中主要元素和掺杂元素对材料性能的影响以及降低烧结温度的方法.最后介绍了NTC热敏材料的导电机理和发展前景.     

GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述

综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性，简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法，给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。