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工业技术 | 246篇 |
出版年
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2022年 | 5篇 |
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2000年 | 2篇 |
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1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
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1.
等离子原位合成VC增强CoCrCuFeNiMn高熵合金基熔覆层微观组织研究 总被引:1,自引:1,他引:0
目的在廉价钢材表面制备原位自生碳化物增强高熵合金基熔覆层,研究熔覆层的微观结构及性能,为进一步探索高熵合金及其复合材料在表面工程中的应用提供实验范例和理论依据。方法利用等离子熔覆法在Q235钢表面原位制备出VC增强的CoCrCuFeNiMn(VC)x(x=0、0.1、0.2,摩尔比)高熵合金基熔覆层,采用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、显微硬度计,对熔覆层的相结构、微观组织以及硬度进行分析。结果 CoCrCuFeNiMn(VC)x(x=0.1、0.2)熔覆层由高熵固溶体基体相(FCC1+FCC2)以及VC增强相组成。VC呈颗粒状或花瓣状,主要在基体的枝晶间偏聚,少量在枝晶内析出。透射电子显微镜实验结果显示,原位自生VC与基体之间的界面洁净,未发现明显的反应产物,符合原位自生复合材料的界面特征。在一定范围内(x=0~0.2),熔覆层的硬度随着VC含量的增加而升高。结论在Q235钢表面采用等离子熔覆法可以原位制备出VC增强CoCrCuFeNiMn高熵合金基熔覆层,熔覆层与基材呈冶金结合,原位自生VC对基体起到了强化作用。 相似文献
2.
油田站场内的储罐区具有大容积、分布集中、易燃易爆等特点,储罐失效成为影响站场完整性和安全的重要因素。目前,对储罐及其他站内静设备的评价方法主要采用基于风险的检验(RBI)技术,但传统的RBI对设备修正系数的评价未考虑不同因子之间的影响权重,同时未考虑到过渡分值的影响。针对这一问题,采用多层次灰色聚类评价模型,建立了三级评价指标体系,对影响设备修正系数的指标进行权重排序,得到影响失效概率的主要因素,并利用过渡分值构建评价样本矩阵。通过实例分析对模型进行了验证,结果表明,该方法可以很好地处理储罐风险评价这类多层次、多变量、非线性的复杂问题。 相似文献
3.
以针状的硅灰石为填料,采用冷压烧结工艺制备了不同填料含量的聚四氟乙烯(PTFE)密封材料,考察了PTFE的拉伸、结晶、蠕变及摩擦性能,并借助扫描电子显微镜(SEM)、三维白光干涉表面形貌仪对样品的微观形貌进行了分析。结果表明:硅灰石的加入使得PTFE的结晶度和熔点有轻微的上升;随着硅灰石含量的增加,PTFE的拉伸强度和断裂伸长率逐渐下降,但抗蠕变性能显著提升;在摩擦过程中,硅灰石在磨痕界面区域堆积,有效承担了摩擦载荷,使得PTFE的体积磨损率降低了约两个数量级,但同时硅灰石也使磨痕的表面粗糙度明显变大,摩擦系数也因此增大。当硅灰石质量分数为15%时,PTFE的拉伸强度为48MPa,断裂伸长率为275%,蠕变量比纯PTFE降低约50%,耐磨性比纯PTFE提高两个数量级,且摩擦系数低至0.24,综合性能较好。 相似文献
4.
为了探索横向通风系统进行调质通风的可行性,利用稻谷平房仓横向通风系统两侧吸出式调质通风工艺与同样仓型的竖向通风系统进行了调质通风对比测试,分析了2种调质通风的调质速率、均匀性和能耗的差异。结果表明,横向通风系统调质后水分增加了1.26%,均匀度增加了2.28%,调质通风单位能耗为0.511 kW·h/(%·t),横向通风系统两侧吸出式调质通风工艺可以满足粮食收储企业实际作业需求,横向与竖向通风系统均可达到调质通风工艺效果,该实验结果为稻谷平房仓横向通风系统的通风工艺综合应用提供了技术支持。 相似文献
5.
6.
7.
本文通过对新疆某学校教学楼的时程分析,比较了其在不同地震波作用下的层间地震剪力。通过隔震与非隔震建筑的实例对比,指出了隔震结构在地震作用下的优势。并对隔震结构的设计要点进行了阐述,对于其他类似的隔震建筑设计有一定的借鉴意义。 相似文献
9.
为解决电容层析成像(ECT)图像重建中的"软场"效应和典型的病态问题,提出了一种采用Broyden族校正算法对电容层析成像系统进行图像重建的方法。基于对ECT系统基本原理的研究,推导出实现电容层析成像图像重建的Broyden族校正的数学模型,并采用归纳法分析了算法收敛性。对该算法应用于ECT上的可行性进行了探讨,该算法符合收敛条件且成像精度高。实验结果的数值表明Broyden族校正算法的重建图像效果非常理想,且成像质量优于SD、LBP、Landweber及CG算法,给ECT图像重建领域提供了一种有效的新方法。 相似文献
10.
硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。 相似文献