蓝宝石衬底CMP中氧化硅磨粒粒度分布对抛光液体系性能影响研究

目的 化学机械抛光(CMP)包含化学腐蚀和机械磨削两方面,抛光液pH、磨粒粒径和浓度等因素均会不同程度地影响其化学腐蚀和机械磨削能力,从而影响抛光效果。方法 采用30~150 nm连续粒径磨粒抛光液、120 nm均一粒径磨粒抛光液、50 nm和120 nm配制而成的混合粒径磨粒抛光液,分别对蓝宝石衬底晶圆进行循环CMP实验,研究CMP过程中抛光液体系的变化。结果 连续粒径磨粒抛光液中磨粒大规模团聚,满足高材料去除率的抛光时间仅有4 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.665 nm;均一粒径磨粒抛光液中磨粒稳定,无团聚现象,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高94.7%,能至少维持高材料去除率18 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.204 nm;混合粒径磨粒抛光液初始状态下磨粒稳定性较高,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高114.8%,之后磨粒出现小规模团聚现象,后9 h材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的59.6%,18 h内材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的87.7%,但抛光后的晶圆表面粗糙度为0.151 nm。结论 一定时间内追求较高的材料去除率和较好的晶圆表面粗糙度选用混合粒径磨粒抛光液,但需要长时间CMP使用均一粒径磨粒抛光液更适合,因此,在工业生产中需要根据生产要求配合使用混合粒径磨粒抛光液和均一粒径磨粒抛光液。     

基于强化学习的多Agent路径规划方法研究

以复杂任务下多个智能体路径规划问题为研究对象,提出一种基于强化学习的多Agent路径规划方法。该方法采用无模型的在线Q学习算法,多个Agent不断重复"探索-学习-利用"过程,积累历史经验评估动作策略并优化决策,完成未知环境下的多Agent的路径规划任务。仿真结果表明,与基于强化学习的单Agent路径规划方法相比,该方法在多Agent避免了相碰并成功躲避障碍物的前提下,减少了17.4%的总探索步数,形成了到达目标点的最短路径。     

基于稳定pH值的硅衬底晶圆抛光液成分优化

目的 探究不同配比方案配制pH值相同的抛光液对抛光去除速率、抛光液寿命和表面粗糙度的影响,优化硅衬底晶圆抛光液,使其满足半导体产业的发展要求。方法 以二氧化硅水溶胶为磨料,通过设置有机碱、pH缓冲剂、pH稳定剂的不同配比来调节和稳定抛光液的初始pH值(11.0~12.0),在最佳工艺参数下循环使用抛光液对2英寸(1英寸≈2.54 cm)硅衬底晶圆进行抛光实验。研究不同配比下抛光液pH值、抛光去除速率随抛光液循环使用时间的变化情况。对比实验结果,分析各种成分在抛光过程中的作用,以及对抛光效果产生的影响,得出最佳配比方案,优化抛光液方案。结果 通过优化硅衬底晶圆的抛光液方案,使抛光去除速率达到0.804 μm/min,抛光液的寿命延长了约114.29%,抛光后硅衬底晶圆的表面粗糙度最低为0.156 nm。结论 得到了抛光液的最佳配比方案,有机碱的质量分数为1.0%,pH缓冲剂的质量分数为1.1%,并加入pH稳定剂调节pH,使其抛光去除速率、抛光液寿命、表面粗糙度都得到很大提升。     

110kV内桥接线智能变电站电流回路配置及相关检修策略

通过分析内桥接线形式下智能变电站电流回路配置不同方案,得出不同设计方案的优缺点及检修策略,最后以110kV鹭湖变电站为例,叙述内桥分段电流回路配置特殊性及在鹭湖变电站施工时存在的问题,为内桥接线形式的智能变电站设计和检修提供参考。     

不同粒径纳米二氧化硅磨料对蓝宝石CMP去除机制的影响

采用不同粒径的纳米二氧化硅磨料对蓝宝石晶圆进行化学机械抛光(CMP).结合实验与量子化学参数的仿真计算,研究了磨料粒径对抛光后蓝宝石晶圆表面性能的影响及其材料去除机制.结果表明:在CMP过程中,纳米二氧化硅磨料与晶圆表面发生了主要基于磨粒表面羟基官能团与加工材料表面之间强相互作用的固相反应.提出了磨粒粒径影响固相反应强度的机制.纳米二氧化硅磨料在蓝宝石CMP中对材料的去除是机械磨损和化学反应共同作用的结果,磨料的粒径是影响两者动态平衡的重要因素.建议采用混合粒径纳米二氧化硅磨料来抛光蓝宝石.     

二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响

针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO2磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果.结果表明,将粒径为120 nm的40％(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20％(质量分数)硅溶胶按体积比8:2混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行CMP时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷.     

基于最短路径的斜坡道自动生成算法与实现

近年来,斜坡道在矿床开拓中得到越来越广泛的应用,合理的斜坡道设计,对工程实践具有重要的意义.阐述了一种基于最短路径的斜坡道自动生成算法,原始数据仅提供斜坡道入口点和阶段巷道结点的空间坐标,通过对相邻关键点链接关系的判断,选择合理的线路布置形式.该算法要求斜坡道在自动寻径过程中满足最大允许坡度和最小旋转半径两个重要指标,进而使产生的斜坡道路径最短.实验表明设计的算法有较好的实用性,能够为工程实践提供有利的依据.     

基于单向传输协议的网间安全交换技术

为解决工业控制系统与涉密工作网络之间信息安全交换的问题,提高信息交换的效率,提出一种基于单向传输协议的数据交换技术。构建数据交换可信验证模型,将业务数据分离成2个单向链路,并采用单向隔离设备实现网络的安全隔离和信息单向传输。通过控制信息管理子平台防止高密级信息流向低密级安全域,利用采集信息管理子平台抵御对涉密信息系统的攻击。设计数据安全传输机制,并进行私有协议封装。分析结果表明,该技术可实现工业控制系统与涉密信息系统间的安全互联和数据可信交换。     

新型高硬度硅溶胶的制备及其在化学机械抛光中的应用

目的 制造新型高硬度硅溶胶,满足硅晶圆化学机械抛光(CMP)既要高抛光速率,又要高抛光质量的要求.方法 利用恒液面聚合生长法制备硅溶胶的工艺特点,通过在合成过程中加入pH值稳定剂异丙醇胺,提升硅溶胶的硬度和稳定性.采用透射扫描电子显微镜、红外光谱等对硅溶胶的成分、形貌等胶体的性质进行表征和分析.结果 通过设计对比实验,发现新型高硬度硅溶胶抛光时的pH值稳定性较普通市售硅溶胶有很大提升,3组新型高硬度硅溶胶平均抛光速率分别为1.580、1.544、1.582μm/min,较普通市售硅溶胶分别提升了17.41％、17.91％、18.25％.新型高硬度硅溶胶抛光后,硅晶圆的平均表面粗糙度只有0.157 nm,最低达到了0.132 nm,而市售普通硅溶胶抛光后的硅晶圆平均表面粗糙度为0.216 nm.同时,通过检测抛光前后硅溶胶粒径和形貌的变化,发现新型高硬度硅溶胶均优于普通市售硅溶胶.结论 新型高硬度硅溶胶作为抛光的研磨料在去除速率、表面粗糙度等方面都有一定的优势,验证了新型高硬度硅溶胶作为抛光研磨料的实用价值.     

数字变电站监控系统的安防措施分析

阐述变电站系统在过程层、间隔层、站控层中的风险结构、类型、判断，安全防护体系的设计和实现，包括总体实现思路、监控系统的可视化、区域边界安全、通信网络安全。