陶瓷球轴承性能分析

本文着重分析了应用在高速机床主轴上的陶瓷球轴承几方面的重要性能，并介绍了用热压氮化硅进行试验的结果。     

表面处理对氮化硅陶瓷力学性能的影响

采用X射线衍射应力分析的sin2ψ法计算了Si3N4陶瓷试样的残余应力，并分别测量了表面处理前后Si3N4试样的力学性能。结果表明，经平面磨削后的Si3N4试样表面残余应力为拉应力，而抛光处理可适当降低残余应力。两种方法都使试样抗弯强度降低。     

多孔β-TCP陶瓷药物载体结构与性能的影响因素

本分析了影响多孔β-TCP陶瓷药物载体结构与性能的因素，确定了制备多孔β-TCP陶瓷药物载体的技术路线和工艺参数。     

添加剂对化学镀铜的影响

研究了亚铁氰化钾和α，α′-联吡啶对陶瓷表面化学镀铜沉积速率、阻抗、镀层晶体结构和外观的影响。加入亚铁氰化钾，铜沉积速率降低，阻抗增大，镀层外观得到改善，镀层晶体呈无序生长；α，α′-联吡啶的加入对铜沉积的抑制更明显，镀层晶体取向为（2，2，0）。     

氮化硅基陶瓷连接技术的研究进展

陶瓷连接技术是结构陶瓷实用化的有效手段，焊料成分对连接体的性能具有决定性作用。本文主要从焊料成分选择的角度，总结了氮化硅基陶瓷连接技术的发展现状；并重点讨论了陶瓷／玻璃复合焊料在β-Sialon陶瓷连接中的应用。     

热压辅助先驱体裂解制备Cf/SiC复合材料的研究

以聚碳硅烷为先驱体 ,采用先驱体转化法制备三维编织Cf SiC复合材料。研究发现 ,第一次裂解时采用热压辅助可以明显提高材料的致密度和力学性能。第一次在 160 0℃、10MP的条件下热压裂解 60min ,后续真空浸渍—常压裂解处理五个周期所制得的材料具有较高的力学性能 ,其弯曲强度和断裂韧性分别为 5 64MPa、16MPa·m1 2 。讨论了制备工艺对材料结构和性能的影响     

累托石合成孔梯度多孔陶瓷的研究

以累托石为主要原料，煤粉为成孔剂，采用压制成形，在1220℃温度下烧成，制得具有一定孔梯度的多孔陶瓷，研究表明，不同的骨粒粒径及不同的成孔剂粒径的相互混合可制得具有成连续变化孔梯度分布的多孔陶瓷，且随着成孔剂含量的提高，显气孔率增加，强度和体积密度均降低。     

氮化铝陶瓷及其用途

随着非氧化物陶瓷材料的研究日益受到重视，氮化铝陶瓷以其高热导率、与硅相匹配的热膨胀系数、比强度高、密度低及无毒等优点，成为微电子工业中新一代的电路基板、封装材料。由于它适应了新一代信息材料迅速发展的需求，近年来取得显著进展。氮化铝（AlN）为共价健化合物，晶体结构为六方与立方两种。其中立方晶型仅在超高压与薄膜生长条件下才能制取。常见的AlN陶瓷均呈六方纤锌矿结构。理论密度为3.26g/cm3,莫氏硬度为7～8，分解温度为2200～2250℃。氮化铝粉末呈白色或灰白色。氮化铝制品的密度与选择的添加剂种类及添加量，制备工艺…     

原始Si3N4粉末类型和烧结条件对α-赛隆陶瓷颗粒形态的影响

采用α-Si3N4或混合的β/α-Si3N4原始粉末，借助于气体压力烧结可使掺入Y－Ce的富氮多倍阳离子α-SiAlON(赛隆）陶瓷致密化。用不同的烧结周期可以研究α-SiAlON成核和长大机理的作用。烧结后的X射线衍射表明，除α-SiAlON基质相外，还有21R多种类型相。在原始组份中采用α-Si3N4粉末制备的烧结材料的显微结构特性表明，如所预料的，如果颗粒长大前未应用α-SiAlON成核过程，则呈现典型的等轴颗粒形态。然而，如果在最终烧结前进行成核，则可观察到针状α-SiAlON颗粒。在含有混合β/α-Si3N4的原始粉末中，也观察到针状颗粒形态。讨论了不同的Si3N4原始粉末和烧结条件对颗粒形态和机械性能的影响。     

青花的语言

青花瓷能从众多种类的陶瓷彩绘中脱颖而出，独树一帜，历经千百年而弥新，和它独特的文化特征和别具一格的表现语言是分不开的。一定的语言传递出一定的美感，陶瓷彩绘随着康熙古彩、珐琅彩、粉彩等工艺的出现而日益富丽堂皇，多姿多彩，青花瓷却以清新典雅的语言赢得了更广泛的青睐。