表面高阶曲线光栅半导体激光器横模特性分析

半导体激光器在光通信、生物医疗、激光雷达等领域中得到广泛应用,其单模稳定输出特性一直是国内外的研究热点。制备了一种基于表面高阶曲线光栅的宽脊波导半导体激光器,刻蚀曲线型高阶光栅后高阶横模损耗远大于基横模损耗,同时设置宽脊电流限制注入结构,使得高阶横模激射阈值高于基横模阈值,从而改善器件的横模特性并压窄光谱线宽。利用温控模块将器件的工作温度控制为18℃,对腔长为2 mm、条宽为500μm的器件进行测试,在0.5 A电流下测得慢轴发散角为5.3°,快轴发散角为29.2°,在1 A驱动电流下测得3 dB光谱线宽为0.173 nm,边模抑制比为22.6 dB。实验结果表明,表面高阶曲线光栅对宽脊波导半导体激光器中的高阶横模起到了抑制作用且能够压窄光谱线宽,有助于实现半导体激光器的单模稳定输出,同时器件采用紫外光刻工艺,大幅降低了器件的制备难度。     

基于结构图法的控制系统仿真软件

本文介绍了基于结构图法的控制系统仿真软件的功能和实现方法。在数值计算中,采用差分方程法,既大大减少了迭代计算量,同时又保持了较高的仿真精度。利用这种系统界面友好的仿真软件,用户可对线性控制系统、非线性控制系统等方便快捷地建立结构图形式的控制系统仿真模型,从而为复杂控制系统的分析和设计提供了仿真研究平台。     

基于PCA-LM-BP神经网络的岩石可钻性预测研究

预测岩石的可钻性等级能够为钻探工程项目的开展提供有效帮助,根据岩石的可钻性等级选择合理的工艺、方法、技术为项目提供技术支撑。本文考虑岩石在地下空间中受复杂环境因素影响,从地球物理勘探数据、岩石的力学性质和物理性质中选择5种影响岩石可钻性的等级因素,用主成分分析法（PCA）解释每种影响因素之间的相关性及贡献率,消除5种影响因素之间的相关性,选择相关性低的3个主成分代替数据样本进行预测评价。编写LM-BP算法,合理设置预测模型参数值,以主成分分析后的数据样本作为基础,建立岩石可钻性等级预测模型,对预测结果与室内实验法的实测结果进行分析对比,经分析得知,PCA-LM-BP预测模型在岩石可钻性等级预测中,具有预测精准度高、预测时间短的特点,可被应用于钻探工程中的岩石可钻性分析。     

纳米CeO_2不同的制备方法对催化性能的影响

采用快速氧化法、直接焙烧法、水热滴加法和水热倾倒法制备了纳米CeO_2催化剂,并用于催化甲醇与CO2合成碳酸二甲酯(DMC)。结果表明,水热滴加法制备的纳米CeO_2催化性能优于其他方法制备的催化剂。水热滴加法的最优条件为3 m L氨水和1.0 g CTAB,DMC产率最高可达0.772 0 mmol/mmolcat。此外,通过透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、N2吸脱附、X-射线光电子能谱仪(XPS)和程序升温吸附(TPD)对所制备的催化剂进行表征。研究结果表明,纳米CeO_2上较高的Ce(Ⅳ)/Ce(Ⅲ)比值和适当的酸碱性位数量和强度对其催化性能有显著影响。     

浅析35kv输电线路设计施工

随着社会经济的迅速发展，电力系统也跨人了一个新的时代，电力建设进入了高密度的建设期。本文着重对35kv输电线路在设计施工中的问题及解决办法进行了论述。     

谈谈金属和人体的健康

<正> 根据科学家的研究,目前认为组成人体的元素有50多种,约占自然界元素总数的一半左右。人体重量的99%是由碳、氢、氧、钾、钙、铁等12种元素所组成。属于金属元素的有14种,即钙、钾、钠、镁、铁、锌、铜、钒、锰、钼、铬、钴、锡等,钾、钠、钙、镁等四种元素要占人体中金属离子总量的99%以上。它们大多以络合物的形式存在于人体之中。这些元素在人体内的含量,往往与它们在土壤、水质、大气和食物中的含量有关。根据金属元素对人体健康的不同影响,可以把它们分成两大类:就是生命必需的金属元素和污染金属元素。     

中国化学会召开第22、23届理事联席会议

<正> 根据一九九○年七月的全国通讯选举,选出中国化学会第二十三届理事会一三九名理事。上海地区当选理事的有中国科学院有机化学研究所的陈耀全、林国强、胡振元、黄维桓、惠永正、蒋锡夔、戴立信同志;复旦大学的江明、吴浩青、秦启宗同志。华东师大的陈邦林、范杰同志;华东化工学院的陈敏伯同志;长宁区教育学院的刘正贤同志等十四人。一九九○年十月二十五日～二十七日在北京召开二届理事联席会议。参加会议的有     

油气藏储集层双渗流动系统不稳定试井曲线特征研究

从不稳定试井资料单对数与双对数导数曲线形态特征入手 ,可以综合确定油藏储集层的双渗流动系统。对这一不稳定试井曲线形态所刻划的油藏储集层物理模型仍然可用root模型的扩展模型来解释 ,不同的是基质既向裂缝供液 ,其本身也有一定的流动能力。与双层双渗流动系统相同 ,都是先高渗系统流动 ,后低渗系统流动 ,但只有双层高低渗透层之间有流动时才有共同的流动特点。对于这一现象 ,可以用流动阻力模拟电路来描述。     

基于多层抗蚀剂的GaAs基微纳光栅深刻蚀工艺

采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅。针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,本课题组采用厚度较薄的PMMA A4抗蚀剂和SiO₂薄膜形成多层抗蚀剂来减小邻近效应,同时将SiO₂薄膜作为硬掩模,实现了高深宽比的光栅结构。此外,针对电感耦合等离子体刻蚀过程中光栅结构出现长草的现象,通过增强电感耦合等离子体的物理刻蚀机制,有效消除了结构底部的草状结构。扫描电镜测试结果显示：将100 nm厚SiO₂作为硬掩模,可以实现周期为1.00μm、占空比为0.45、刻蚀深度为1.02μm的光栅结构,该光栅结构具有陡直的侧壁形貌以及良好的周期性和均匀性。在该工艺条件下,电感耦合等离子体刻蚀工艺对SiO₂掩模的刻蚀选择比可达26.9∶1。最后,将该结构应用于分布式布拉格反射锥形半导体激光器中,获得了线宽为40 pm的激光输出。这表明,采用电子束光刻技术制备的光栅结构对半导体激光器具有很好的选模特性。     

南水北调中西线工程对水源区水资源影响及对策

为了将南水北调中、西线工程调水对水源区水资源产生的不利影响控制在可接受范围内,首先介绍了中线工程水源区的水资源开发利用现状,并从下泄流量、下游水位、河势、防洪、供水、环境、发电、航运等方面详细阐述了调水所产生的影响,并提出了应对措施,包括引江补汉、洪水资源化利用、节水和治污以及实行水资源统一调度等。阐明了西线工程对水源区水情、生态环境和用水的影响,并提出了进一步研究的想法和建议。