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电子封装中Cu/Sn/Cu焊点组织演变及温度对IMC立体形貌影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过电镀的方法在抛磨好的铜基体沉积4 μm的锡层,并组合成一个Cu/Sn/Cu结构.分别选择240℃、1 N作为钎焊温度和钎焊压力,在不同的钎焊时间下制备焊点,分析了Cu/Sn/Cu焊点组织演变规律.分别制备了不同钎焊温度下(240,270,300℃) Cu6Sn5和Cu3Sn的立体形貌,分析了温度对Cu6Sn5和Cu3Sn立体形貌的影响规律.结果表明,钎焊30 min后Cu6Sn5为平面状,随着钎焊时间的增加逐渐转变成扇贝状.在扇贝底部的Cu3Sn要比扇贝两侧底部的Cu3Sn厚.增加钎焊时间锡不断被反应,上下两侧Cu6Sn5连成一个整体.继续增加钎焊时间Cu6Sn5不断转变成为Cu3Sn.随着钎焊温度的升高Cu6Sn5的立体形貌逐渐由多面体状转变成匍匐状,而Cu3Sn晶粒随着钎焊温度上升不断减小. 相似文献
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Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent 相似文献
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针对有序用电管理工作中的避峰专项预案编制展开研究。基于有序用电精细化管理理念,以公平合理性为总原则,辅以经济性要求,设计了避峰预案的编制流程,并提出了避峰预案分级分组的概念。首先,利用综合评价方法确定各用户参与避峰的优先级,并形成避峰序位表。然后根据避峰序位和可避峰负荷大小对用户进行分组。最后依据用户组的顺序安排机制,并以社会避峰损失最小为目标,优化各级避峰负荷的用户组构成。算例分析结果表明,上述避峰预案编制方法能保证避峰优先级综合评价值较小的用户优先参与避峰,提高预案的科学合理和公平性;有效反映产业结构调整、用户节能减排和保护环境等政策导向;同时避免传统方式下部分大用户避峰损失过大。 相似文献
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后整理是布厂的最后一道工序,对织物性能、布面颜色影响很大。现介绍了GEW后整理常规工序和各类特殊整理对布面颜色的影响,以期对染整企业有所帮助。 相似文献
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