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91.
本首先概括地说明了具有电容性、压敏性的SrTiO3双功能电磁兼容元件的基本特点。把SrTiO3双功能元件、ZnO压敏电阻器、普通陶瓷电容器抑制陡脉冲干扰的性能进行了对比,显示出该元件具有优异的抗干扰性能。最后列举了SrTiO3双功能元件的主要应用领域,说明该元件具有广阔的应用前景。  相似文献   
92.
电路在正常工作时所产生的不希望有的振荡叫作寄生振荡。这种振荡往往是因为分布电容、电感的寄生反馈引发的。这种振荡的存在会破坏电路正常工作,甚至会使零件、晶体管、电子管过载而损坏。  相似文献   
93.
提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺. 采用溶胶-凝胶法在500~800℃下合成复合氧化物掺杂剂, 此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料, 该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的, 具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料. 本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响. 研究表明, 在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性. 在500~800℃内, 复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明, 采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷, 其室温相对介电常数不小于18000, 介质损耗低于0.7%, 绝缘电阻率达到1012Ω·cm, 居里点在5~20℃之间可调, 平均晶粒尺寸GAV小于4μm. 该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.  相似文献   
94.
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。  相似文献   
95.
采用传统的固相反应法制备Li-Al-B(LAB)掺杂立方晶系Li2O-Nb2O5-TiO2(LNT)微波介电陶瓷。运用XRD、SEM和微波介电性能测试等手段,研究了LAB掺杂对样品烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明,在LNT陶瓷中添加LAB,有效促进LNT陶瓷烧结,使材料的介电常数和品质因数显著提高。当掺入LAB的质量分数为4%时,样品在900℃保温2h后烧结致密,并获得最佳微波性能:介电常数εr=18.05,品质因数与频率的乘积Q×f=22 040GHz(f=6.41GHz),频率温度系数τf=-20.74×10-6/℃。  相似文献   
96.
利用旋流-静态微泡浮选柱选萤石矿的实验室研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了旋流-静态微泡浮选柱的结构和原理,并将其用于甘肃某地萤石矿石浮选实验研究。结果表明:该法可获得CaF2含量大于98%的优质萤石矿粉;与常规浮选在斯大林上同的情况下进行对比,采用一粗二精流即可达到浮选目标,简化了流程。  相似文献   
97.
本文通过对活塞环受热变形的分析,阐述了在活塞环设计过程中要注意的事项。  相似文献   
98.
碳纳米管应用研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管的电学特性,如导电特性、通流能力、电流特性及其场发射特性。在此基础上,讨论了碳纳米管在纳米电子学和电子场致发射等方面的应用。同时分析了碳纳米管的磁学特性、力学特性及敏感特性等并讨论了其在纳米机械系统、电磁吸收、传感器及其他领域中的应用。研究表明,碳纳米管在众多的领域具有广泛的应用前景。  相似文献   
99.
高温下几种铜合金流动应力的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用Gleeble-1500热模拟实验机,测定了4种铜合金材料在高温热压缩状态下的流动应力,分析了应变速率、变形程度及变形温度对流动应力的影响规律。通过分析,提出了拟合精度较高的流动应力数学模型,并给出了回归系数值。  相似文献   
100.
从煤泥中黄铁矿的种类、粒度等方面对黄铁矿的可选性作了讨论与分析 ,为灵山煤泥的浮选脱硫提供了基础资料和依据  相似文献   
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