Al掺杂含量对纳米ZAO粉体性能的影响

以硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料,采用均匀沉淀法合成了不同掺杂量的掺铝氧化锌(ZAO)前驱体,在400℃煅烧获得粒径均匀的纳米ZAO粉体.经X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Al3 取代了Zn2 的位置,形成Al/ZnO固溶体,保持了ZnO的结构,实验最终产物为六方晶系纤锌矿结构的纳米ZAO粉体,形状为球状或类球状.对所得产物在8.2～12.4GHz频率范围内进行了介电常数的测试.结果表明,随着Al元素掺杂量的增加,ZAO粉体复介电常数的实部和损耗逐步增大,但是当Al掺杂浓度＞11%(原子分数)时,ZAO粉体中出现了铝酸锌(ZnAl2O4),Al不再起掺杂作用,复介电常数的实部和损耗不再增加.     

热压温度对Fe/LAS复合材料性能的影响

采用热压烧结法制备了Fe/LAS复合材料,研究了该复合材料的致密度、力学性能和微波电磁性能随热压温度变化的规律。结果表明,随热压温度的升高,复合材料的致密度、断裂韧性和抗弯强度先上升后下降,并均在热压温度为970℃时达到最大;在8.2～12.4 GHz测试频率内,随热压温度的上升,复介电常数逐渐降低,复磁导率变化不明显。     

Synthesis and microwave dielectric properties of Si/C/B powder

Si/C/B powders were synthesized by carbothermal reduction of xerogels containing boride. Colorless, transparent and monolithic gel was obtained by using tetraethoxysilane, saccharose, tributyl borate, ethanol and distilled water as starting materials. When the xerogel was fired at 1 600 ℃ in the static argon atmosphere, the XRD pattern commences to show the crystallite peak corresponding with C. β-SiC was synthesized at 1 700 ℃, but amorphous remainders could not be eliminated completely. The XRD results show that the boron possibly enters into the silica network, leading to the formation of borosiloxane. Microstructure offl-SiC powders consists of agglomerated particles with diameters ranging from 30 to 100 nm. Though the samples prepared at 1 600 ℃ and 1 700 ℃ have better dielectric loss tangent than the sample at 1 500 ℃ due to exiting crystalline material, the dielectric constant and dielectric loss tangent of three samples reveal lower values.     

TiB2/ZrO2复合材料介电及力学性能研究

以热压烧结制备了TiB2/ZrO2复合材料,研究了其在8.2～12.4GHz的介电特性和力学性能,探讨了材料极化和损耗机理.结果表明,Ib2降低了复合材料的烧结性能;纯ZrO2无明显损耗,Ro2内部价电子随电场移动使基体发生极化,Ib2在材料中形成的导电网络使复合材料复介电常数实部和损耗增加.复合材料的硬度随TiB2体积分数增加而下降,抗弯强度和断裂韧性随TiB2体积分数增加先上升后下降,这是由复合材料相对密度、基体晶粒尺寸以及TiB2的韧化作用等因素共同决定的.     

羰基铁粉吸波涂层的吸波原理及应用

吸波涂层通常由吸收剂和基体组成。羰基铁粉属于典型的磁介质型吸收剂,由于其具有较宽的吸收频段而引起人们越来越多的关注。吸波涂层的设计与优化就是通过调节吸收剂的成分、体积分数以及吸波涂层的厚度来改善涂层的吸波性能,吸波原理与有效介质理论是进行吸波涂层设计与优化的理论基础。主要介绍了羰基铁粉吸波涂层的吸波机理、吸波涂层优化设计的基本方法,最后简要介绍了几种常见羰基铁粉吸波涂层的应用。     

高能球磨法制备片状羰基铁及其电磁性能研究

采用高能球磨法进行片状羰基铁的制备,研究了行星式球磨机不同转速和不同球磨时间对羰基铁形状和微波电磁性能的影响.结果表明:在球磨转速为200 r/min,羰基铁开始逐渐出现片状结构;随着球磨时间的延长,羰基铁片状化程度逐渐提高,微波电磁性能也逐渐改善;随着转速的增大,片状羰基铁的宽厚比增大,但同时出现了大量细碎颗粒,磁性能反而发生恶化.球磨转速为200 r/min,研磨16h的片状羰基铁制得的微波吸收材料在4～18 GHz频段的反射率小于-10dB的带宽为7.5 GHz,最大反射率-29 dB.     

保温时间对0．98（K0．5Na0．5）NbO3-0．02LaFeO3陶瓷电性能的影响

研究保温时间对0．98（K0.5Na0.5）NbO3-0．02LaFeO3（缩写为0．98KNN-0．02LF）无铅陶瓷相结构、显微组织、介电性能及铁电性能的影响。所有烧结样品均为纯的伪立方钙钛矿相,保温时间对相结构影响不大。随着保温时间的延长,样品的XRD衍射峰逐渐增强,并且向低角度移动。SEM观察结果显示,随着保温时间的延长,陶瓷样品的致密性提高,晶粒异常长大并出现孪晶结构。介电温谱表明,随着保温时间的延长,介电性能有所降低。电滞回线结果表明,2Pr随着保温时间的延长而增大的程度有所减小,而2E略有增加。在1150℃烧结2h得的到陶瓷的性能较优：εr=2253,tanδ〈5％,2Pr=34．51μC／cm2,2Ec=5．07kV／mm。     

热解温度对聚碳硅烷转化SiC陶瓷结构及介电性能的影响(英文)

采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末,并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2~18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明:复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。     

沉积温度对氧化锆薄膜显微结构的影响

采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,而对YSZ薄膜沉积速率的影响则很大。与YSZ薄膜相比,ZrO2薄膜容易形成结晶态。25℃时所制备的ZrO2薄膜为非晶态,300℃时则为单斜晶体结构,薄膜的结晶程度随沉积温度的升高而提高。而两种温度下制备的YSZ薄膜均为非晶态薄膜。随沉积温度的升高,ZrO2薄膜表面变得致密光滑,而YSZ薄膜表面则变得粗糙不平。     

烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了烧结温度对CCTO晶相、微观形貌、致密度以及在C波段(3.95～5.85 GHz)的介电性能的影响。结果表明,在1040℃烧结的试样除了含有CCTO,还存在部分没有反应的TiO2。随着烧结温度的升高,TiO2逐渐消失。与1040℃和1060℃烧结的试样相比,在1080℃烧结的试样晶粒尺寸较大且粒径较均匀,而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象。试样的密度随烧结温度的升高而增加,在1080℃时达到最大值。在1040～1080℃烧结的试样,其介电常数随着烧结温度的升高而增加,而在1100℃烧结的试样的介电常数反而有所降低。不同烧结温度下的CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随频率的增大变化不大。在所得的试样中,在1080℃烧结的CCTO陶瓷介电常数最高,介电损耗最低。