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81.
九龙江铀矿床位于诸广山三九地区的三江口矿区,为研究矿床南部石壁窝矿段的稀土元素地球化学特征,采取正常花岗岩、蚀变花岗岩、矿化构造岩及各类矿物的岩矿心样,进行稀土元素测试分析。结果显示,各样品均具有类似的富LREE及负Eu异常的右倾稀土配分模式。石壁窝矿段的正常花岗岩ΣREE=237.26×10-6;LREE/HREE=12.05,(La/Yb)N =22.31,(La/Sm)N =3.32,(Gd/Yb)N =3.87,稀土元素分异程度明显要高于三九地区;各样品的δEu<1、δCe≈1,反映该地段处于相对还原的环境;Sm/Nd、La/Sm-La、(La/Pr)N、Y/Ho等值及矿物学特征均暗示该矿段岩体成岩岩浆、成矿流体可能混入少量幔源组分或受幔源流体改造。石壁窝矿段的铀矿化受LREE/HREE值、Eu/ΣREE值制约,具有成矿后多期次改造的成矿地质特征,整体成矿地质背景较为优越。 相似文献
82.
为提升普通织物的低温抵抗性能,将具有蓄热调温功能的相变微胶囊涂覆至织物表面制得蓄热调温织物,通过Fluent 软件对复合织物的低温防护过程进行模拟,在此基础上设置了蓄热调温织物的低温防护试验对模型的模拟精度进行检验,并模拟探究了微胶囊的相变潜热以及其在织物中所占的体积分数对蓄热调温织物低温防护性能的影响。结果表明:数值模拟结果可显示不同时间节点蓄热调温织物的温度场分布情况以及各区域的温度变化趋势,且试验结果与模拟结果的误差小于8.64%,该模拟结果可较为准确地再现蓄热调温织物的低温防护过程;当微胶囊的相变潜热由50 J/g增加至200 J/g时,织物的低温防护时间延长了70.1%;当微胶囊的质量分数由1%增加至5%时,织物的低温防护时间由214 s延长至388 s,同比提升了81.3%。 相似文献
83.
一种新型抗氧化五肽的纯化、鉴定与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以黑鲨鱼皮为原料,利用蛋白酶酶解制备和分离纯化抗氧化多肽,并探究其抗氧化机理。以1,1-二苯基-2-苦肼基(1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl,DPPH)自由基清除率为主要指标,以水解度为辅助指标,优化酶解工艺条件。通过反相高效液相色谱和电喷雾四极杆飞行时间质谱分离纯化和鉴定氨基酸序列并探究其体外抗氧化活性。结果显示,最佳水解蛋白酶为碱性蛋白酶,最优酶解工艺为pH 8.0、酶添加量311 U/mL、底物质量分数3%、酶解温度45 ℃、酶解时间4.9 h,所得的酶解液DPPH自由基清除率为77.61%,水解度为14.21%。经反相高效液相色谱分离,得到组分F19的DPPH自由基清除能力最强。经鉴定,选择抗氧化活性高的总离子流色谱峰(保留时间为10.02 min左右)进行一级质谱和二级质谱分析,获得纯化的新型抗氧化五肽,其分子质量为461 Da,氨基酸序列结构为Pro-Gly-Gly-Thr-Met,其DPPH自由基清除率为75.01%(1.0 mg/mL),氧自由基吸收能力(以Trolox当量计)为2490.01 μmol/g。新型五肽的Pro和Met在抗氧化中起到关键性作用。本研究为黑鲨鱼皮抗氧化五肽的抗氧化机理及其构效关系提供了一定理论依据。 相似文献
84.
85.
86.
目的:探讨双歧杆菌脂磷壁酸(Lipoteichoic Acids,LTA)对体外培养的BGC-825胃癌细胞的端粒酶活性和端粒酶逆转录酶hTERT mgNA表达的影响。方法:加LTA后24h、48h和72h分别收集细胞,MTT比色法测定1050;采用半定量-T&AP银染法检测端粒酶活性;ET-PCR法检测端粒酶逆转录酶nTERT mRNA的表达。结果:不同浓度LTA作用于BGC2825细胞24~72h后,细胞呈不同程度的抑制作用,且与LTA药物浓度和作用时间呈一定的相关关系(P〈0.05);同时细胞端粒酶的活性也随之下降,进一步研究发现,LTA抑制了胃癌细胞端粒酶逆转录酶hTERTmgNA的表达。结论:双歧杆菌LTA对BGC-823胃癌细胞具有生长抑制作用,其抗肿瘤作用的机理可能与抑制肿瘤细胞的端粒酶逆转录酶hTERT mENA的表达有关。 相似文献
87.
89.
基于通用天线近远场测试系统,给出了系统扩频设计和工程应用的思路,并分别对扩频系统的本振相参、上下变频的一致性进行了论述。实现了Ka频段以下的平面近场、远场天线测量系统的扩频与应用,并给出了8单元EHF频段阵列天线在不同测试系统下的天线测试方向图。测试结果表明,经扩频的测试系统方向图测量数据与毫米波天线测试系统直接测量的结果吻合,说明扩频系统能够满足毫米波天线方向图的测试需求,并具有较高的测试精度,且设计成本较低。同时还具有一定的通用型,对天线的毫米波扩展测试具有较好的工程应用价值。 相似文献
90.
Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV,50eV,100eV and 150eV at normal incidence and room temperature.The improved Tersoff-Brenner potentials were used.The simu-lation results show that the steady-state etching rates are about 0.019,0.085 and 0.1701 for 50eV,100eV and 150eV,respectively.With increasing incident energy,a transition from C-rich surface to F-rich surface is observed.In the region modified by CF3,SiF and CF species are dominant. 相似文献