可逆电路的符号综合方法

描述一种基于矩阵模型和符号代数理论的可逆电路的综合方法,其中考虑到面积、时延、串扰等约束.实验结果已清楚地表明了利用这种启发式算法与现有的综合方法相比,在面积上所得结果近似,而总串扰得到了明显的改善.并且其路径时延要减少5%到20%之多.这种综合方法大大的改善了电路的性能,并且对输入输出较多的可逆电路的综合具有潜在的优势.     

工艺参数波动下的层次化性能分析

建立了一个层次性能分析模型,运用二次模型,直接建立电路的性能参数与工艺参数变动变量之间的函数关系;将海森矩阵的概念引入二次模型,建立了改进的二次模型;将电路的时延和漏功耗的对数统一用改进的二次模型拟合.实验结果表明,该方法提高了性能预算的精确度.     

某军用方舱车壁板展收液压系统设计

针对某武器系统初导平台回转半径大、工作范围大的特点,对其方舱壁板展收液压系统进行了设计。通过介绍该武器系统方舱液压系统的工作原理以及设计思想,详细分析计算了液压系统的主要技术参数,并对壁板展收时间进行了验算。试验表明方舱壁板液压展收方式结构简单、体积小、推力大、安装方便、操控简单,可以很好地实现方舱壁板的展收。     

项目代建制分析与展望

“代建制”为政府投资项目管理工作提出了一个新的课题．也提供了一个新的舞台，机遇与挑战并存，任重而道远。我们相信通过不断的探索和实践．一定能使这个模式更趋完善．更具可操作性。真正显示出“代建制”在政府和市场之间的桥梁作用。     

关于磁铁矿粉测定标准的几点探讨

MT T80 8 -1 999《选煤厂技术检查》中关于磁性物含量的测定在实际应用中容易出现较大差异 ,文章分析了产生的原因 ,提出了避免与改进的方法     

Vg=Vd/2)应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响

讨论了最差应力模式下(V_g=V_d/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度p MOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率.通过分析电流拥挤效应,阈值电压随沟道宽度的变化,速度饱和区特征长度的变化和HAL O结构串联阻抗这些可能原因,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的.     

热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型

研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,始终是界面态产生;此外退化因子与应力电压成线性关系.最后得出了不同厚度的p-MOSFETs的统一退化模型,对于厚氧化层,退化由电子流量和栅电流的乘积决定,对于薄氧化层,退化由电子流量决定.     

在Vg=Vd/2应力模式下2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型

研究了2.5nm超薄栅短沟pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型.栅电流由四部分组成:直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入.器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起.假设器件寿命反比于能够越过Si-SiO2界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目,在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证.     

玉米淀粉制粉丝工艺和配方

本文叙述玉米淀粉制粉丝工艺、配方双的全过程,产品质量符合国家标准,为粉丝工业开创新途径。