基于新型共基质电子传输层的有机发光器件

研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性.采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%):Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%.研究袁明通过优化混合层的掺杂浓度,可以显著提高电子传输层的导电率,降低驱动电压,从而提高器件的效率.     

基于信噪比系数的双阈值分布式协作算法的研究

为了解决低信噪比时,传统能量检测算法因判决门限固定不变而导致检测性能较差的问题,研究了一种可随信噪比系数变化的双阈值协作能量检测算法。该算法的门限值是根据信噪比系数自适应调整,同时考虑到集中式协作的方式由于过度依赖融合中心的问题而不能在特殊场合使用,因此采用分布式协作的方法将每个认知用户检测到的信息能量值与动态门限进行比较。最后通过与两种传统算法进行对比分析,验证了该算法具有更好的检测性能。     

锂离子电池不燃与阻燃有机溶剂研究进展

分析了锂离子电池中安全性问题产生的原因,讨论了相应的解决办法.论述了不燃和阻燃有机溶剂的作用原理,并总结了它们用于改善锂离子电池安全性时存在的主要问题,同时综述了这一领域的当前研究现状.     

二维Mxenes-Ag微纳复合膜表面增强拉曼研究

作为新兴的超高灵敏检测技术，表面增强拉曼光谱(SERS)在环境、医药、食品、生理检测等多个领域有巨大的应用前景。由于该技术的检测灵敏度完全依赖于等离激元微纳结构的理化特性，其增强基底的设计和制备成为该领域的研究关键和热点。本文采用二维MXenesAg微纳复合膜作为增强基底，并通过优化Ag纳米颗粒的大小和分布来系统研究其SERS检测性能。相比传统的SERS增强基底，二维MXenes-Ag微纳复合膜具有更大的比表面积和更多的增强位点，MXenes作为吸附层的同时也可以为拉曼检测分子提供电子，使得检测分子发生电荷转移，在电荷转移的过程中会增强拉曼信号的强度，更容易吸附检测分子以获得更大的SERS增强。研究结果表明，该基底对典型SERS探针分子耐尔蓝(NB)与亚甲基蓝(MB)的检测限分别为1×10^-11和1×10^-12mol·L^-1。此外，为分析该SERS增强基底的应用潜力，其增强SERS信号的重现性和均匀性也进行了探究，典型环境污染物福美双和食品添加剂三聚氰胺的检测限为10和100μg·ml^-1。本研究成...     

高储能陶瓷/聚偏氟乙烯复合电介质的研究进展

介电电容器作为间歇产生的可持续能源的高效存储转换设备,在新能源领域发挥着不可替代的作用。而电介质电容器的核心是具有高储能密度的电介质材料。聚合物电介质材料由于具有击穿场强高、放电速度快、能长时间使用并可自修复等特点,成为高性能电容器的潜力候选材料,但聚合物本身较低的介电常数限制了其储能密度。通过将具有高介电常数的陶瓷填料与聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物复合,制备新型陶瓷/PVDF复合电介质,在提高电介质材料的介电性能和储能密度方面取得了重要进展。本文介绍了电介质材料的基本原理,综述了不同类型的陶瓷/PVDF复合电介质的结构、储能机制及介电储能性能,并对其未来发展趋势进行了展望。      

变电站无功补偿装置故障分析及其改进措施

无功补偿装置在变电站得到大力推广及应用,效果显著。然而,由于系统谐波因素、操作过电压影响以及本地使用的无功补偿装置保护定值设计不当,装置损坏故障时有发生,严重影响了电网的安全运行,如果处理不当,事故范围就将进一步扩大。本文通过变电站运行过程中出现的故障问题,深入分析了无功补偿装置故障的原因并对无功补偿装置进行改进,使之能充分发挥作用,安全并可靠运行。     

陶瓷与灰铸铁在水润滑条件下滑动摩擦学特性的研究

在Ｍ－２００环一块磨损试验机上研究了蒸馏水润滑条件下Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３陶瓷与灰铸铁（ＨＴ）配副时的滑动摩擦磨损特性，并与这两种陶瓷和０．８％Ｃ钢（Ｔ８）配副相对比；在扫描电镜（ＳＥＭ）下对磨损后的试样表面进行了形貌观察和能谱分析。结果表明：Ｓｉ３Ｎ４／ＨＴ的摩擦系数最小，而且Ｓｉ３Ｎ４与ＨＴ的磨损率均比Ｓｉ３Ｎ４与Ｔ８配副时低得多，其原因是由于在灰铸铁表面形成了一层含石墨的氧化膜；Ａｌ２Ｏ３／ＨＴ与Ａｌ２Ｏ３／Ｔ８的摩擦系数差别不大，但灰铸铁的磨损体积小于Ｔ８。这是由于当Ａｌ２Ｏ３与ＨＴ配副时，很难在ＨＴ表面形成含石墨的表面膜，但ＨＴ中的石墨膜减轻了Ｆｅ向Ａｌ２Ｏ３表面的转移从而降低了磨损。     

烧结温度对GZO陶瓷靶材无压烧结致密化的影响

采用模压成型-无压烧结法制备Ga掺杂量为3 wt%的氧化锌陶瓷靶材(ZnO∶Ga_2O_3=97∶3,wt%)。分析研究了烧结温度对靶材致密度、物相组成、微观结构及烧结收缩变化率的影响。结果表明:烧结温度的升高对GZO靶材试样中的Ga元素扩散有促进作用,并且当烧结温度达到1000℃时,试样中经由固相反应生成ZnGa_2O_4尖晶石相,随着烧结温度进一步升高,生成的ZnGa_2O_4尖晶石相会与ZnO继续反应生成化合物Zn_9Ga_2O_(12)。烧结温度为1400℃时靶材致密程度最高,相对密度达90.5%TD(Theoretical Density)。根据试样的受热收缩曲线,制定出GZO靶材的烧结制度,按制度烧结得到的靶材试样相对密度提升至93.54%TD。     

机顶盒族类之进化

先说什么是电视机顶盒，顾名思义，电视机顶盒是指电视机顶上的盒子，是扩展电视机功能的一种家电。电视机顶盒根据接收的信号种类分为模拟电视机顶盒和数字电视机顶盒。模拟电视机顶盒接收模拟信号，至今为止使用范围有限。随着数字视频技术的发展和各国对数字电视的努力推进，数字电视机顶盒已成为人们观念中真正的机顶盒。由于它与电视机紧密联系，且是一种数字化设备，就被称为数字电视机顶盒。     

离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜

采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E 16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.