全文获取类型
收费全文 | 1094篇 |
免费 | 73篇 |
国内免费 | 148篇 |
学科分类
工业技术 | 1315篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 30篇 |
2022年 | 25篇 |
2021年 | 26篇 |
2020年 | 35篇 |
2019年 | 38篇 |
2018年 | 58篇 |
2017年 | 33篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 44篇 |
2014年 | 62篇 |
2013年 | 53篇 |
2012年 | 60篇 |
2011年 | 62篇 |
2010年 | 55篇 |
2009年 | 54篇 |
2008年 | 58篇 |
2007年 | 75篇 |
2006年 | 58篇 |
2005年 | 54篇 |
2004年 | 51篇 |
2003年 | 45篇 |
2002年 | 42篇 |
2001年 | 38篇 |
2000年 | 38篇 |
1999年 | 20篇 |
1998年 | 19篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 14篇 |
1995年 | 25篇 |
1994年 | 13篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 16篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1965年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
排序方式: 共有1315条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
李虎孙应东张荣佳赫宏联元世斌费久利 《机电产品开发与创新》2023,(6):69-72
随着我国进入城市轨道交通高速发展期,便捷、快速、经济、环保使地铁在城市轨道交通系统中扮演着越来越重要的角色。本文通过对福州地铁1号线项目深入分析和研究,在结合平直道理论测试数据的基础上,开展正式运营线路数据仿真测试和实测数据对比,形成仿真计算数据用于试验标准制定的可行性分析。并以福州地铁1号线为基础,使公司的城轨车项目具备在正线复杂线路条件下完成相应动态试验和验收交付的解决方案。 相似文献
82.
针对DeepLabv3+模型对图像目标边缘分割不准确、不同类目标分割不一致等问题,提出一种基于类特征注意力机制融合的语义分割算法。该算法在DeepLabv3+模型编码端先设计一个类特征注意力模块增强类别间的相关性,更好地提取和处理不同类别的语义信息。然后采用多级并行的空间金字塔池化结构增强空间之间的相关性,更好地提取图像不同尺度的上下文信息。最后在解码端利用通道注意力模块的特性对多层融合特征重新校准,抑制冗余信息,加强显著特征来提高网络的表征能力。在Pascal Voc2012和Cityscapes数据集上对改进模型进行了有效性和泛化性实验,平均交并比分别达到了81.34%和76.27%,使图像边缘分割更细致,类别更清晰,显著优于本文对比算法。 相似文献
83.
84.
85.
采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。 相似文献
86.
利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。 相似文献
87.
通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的 相似文献
88.
89.
介绍了链板运输机的结构和性能,对其在粗铅冶炼生产过程中出现的故障及原因作了较系统的论述,改造后取得了良好的效果。 相似文献
90.