大气中存放的多孔硅的红外吸收与光致发光的时间演化

以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大于与氢和与氟有关振动吸收的降低速率; 而其光致发光强度下降的速率则居于两者之间.     

发可见光的多孔硅

本文比较系统地对多孔硅的制备，光致发光和电致发光特性，微结构和发光机制作作了论述了介绍了当前国内外多孔硅研究中的一些热点问题与学术争论情况。     

热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究

本文研究了热处理对高压液封法生长的掺Sn的、掺s的和未掺杂的磷化铟的光致发光光谱的影响.掺Sn的InP在热处理温度高于500℃时出现了1.36eV 发光峰,同样热处理条件下,未掺杂的与掺S的InP材料不存在这个发光峰.研究表明,热处理掺Sn的InP中1.36eV发光峰所对应的发光中心很可能是Sn和V_p构成的复合体.     

CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究

采用蒸发硒化方法制备了P型CIS（铜铟硒）和CIGS（铜铟镓硒）薄膜,用蒸发法制备N型（硫化镉）,二者组成异质PN结太阳电池,经退火处理,CIX和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到8．83％和9．13％,对制膜过程中彻底的选择,背电极的制备,GIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入探讨,对电池的退火处理提出了自己的见解。     

金精矿超声波强化硝酸预氧化工艺研究

对含硫较高的金精矿采用超声波强化硝酸氧化预处理工艺,处理后的氧化渣采用氰化浸出,金的浸出率同硝酸直接氧化后氰化浸出相比,有显著提高。该方法氧化时间短,对设备要求低。具有一定的生产应用价值。