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孙以材 《河北工业大学学报》1984,(2)
硅外延层上的自然氧化层中的界面态,使汞—硅接触肖特基二极管反向偏置 C—V 特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误差。当正向偏置电压为自建电势0.6V 时的归一化电容值如果明显偏离按外延层杂质浓度和自然氧化层厚度计算出来的平带电容值,就判明有界面态存在。将样品在化学纯氢氟酸中漂洗7分钟以上即可使界面态减少到不可察觉的程度,然后再进行 C—V 测量,可保证测定结果的正确性。 相似文献
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用有限元法计算了用Rymaszewski公式测量矩形样品薄层电阻时的理论误差与针距及其游移度、探针离开边界距离的关系;找出了实际测量时误差小于±3%可放置直线四探针的中央区宽度,并给以实验验证.这将对小矩形样品薄层电阻的测量有实用价值.同时对利用无限系列镜像源理论证明得出小矩形样品的方块电阻测量不受样品边界和探针游移的影响的新方案提出了异议. 相似文献
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孙以材 《河北工业大学学报》1983,(1)
本文综述了点缺陷络合体对半导体性能的影响,指出研究点缺陷络合体的重要性。又利用群论阐明了点缺陷络合体结构的对称性以及络合体简振模和电子轨道与对称性的关系。最后述评了红外吸收和电子顺磁共振吸收检测点缺陷络舍体,因而络合体中的原子配置和电子轨道结构可以测定出来。 相似文献
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采用直流磁控溅射法进行ZnO薄膜的制备,探讨了O2/Ar对薄膜方块电阻,退火对薄膜结构的影响.在对不同退火温度的ZnO薄膜的气敏特性进行测试后表明:较低的退火温度有利于提高器件气敏特性,其中经600℃退火的ZnO薄膜的灵敏度最高,其最佳工作温度为350℃.实验制备的ZnO薄膜对丙酮、汽油等有机蒸汽都有较高的敏感性和较短的响应-恢复时间,呈现对有机蒸汽敏感的广谱性. 相似文献
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本文详细的分析了自平衡电桥激励的压力传感器的输出信号U与桥电压Ve、供电电压V cc及流体压力P之间的关系,并指出,不仅对桥电压而且对总激励电压都存在零点电漂移.在U~Vcc、P的三维空间表达了三者之间典型关系曲线.在U0|Vcc0=0的等势面(Vcc0)上显示出高的压力灵敏度,而在U0/Ucc=0的等势面(≈ 1 2 Vcc0)上,压力灵敏度则低的多.建议零点输出的电漂移应作为压力传感器的一个特性指标. 相似文献
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基于二极管的热式流量传感器的设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
设计并实现了一种基于二极管的热式流量传感器.传感器由两个感温二极管和一个加热电阻构成,其中一个二极管作为测温元件感测流体温度,另一个二极管和电阻封装到一起感测流体流速.使用Multisim软件对包含传感器的桥式电路进行了仿真,分析了输出信号与两个二极管温差的关系.并设计了以单片机为核心的信号测量处理电路,给出了流量为10~100L/h的测量结果. 相似文献