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81.
82.
This paper stuides the magnetization and quantum fluctuations of an
antiferro-antiferromagnetic (AF-AF) double-layer at zero
temperature. It is found that the exchanges and anisotropy constants
affect the quantum fluctuations of spins. If the anisotropy exists,
there will be no acoustic energy branch in the system. The
anisotropy constant, antiferromagnetic intralayer and interlayer
coupling have important roles in a balance of the quantum
competition. 相似文献
83.
正交试验法优化金刚石复合片合成工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
通过正交试验法,以磨耗比、电阻、完整性、硬度为指标,设计了金刚石复合片的合成工艺。正交试验可以减少合成工艺试验次数,优化合成工艺。试验结果表明,较合理的烧结工艺为:合成压力5.5 GPa,升温速度为200 ℃/min,保温时间16 min,冷却时间14 min,烧结温度1 350 ℃。从压力、温度和时间等因素的影响方面讨论了金刚石复合片的性能。认为:适当地提高温度有利于提高磨耗比及硬度;延长加热时间有利于性能均匀性的提高;延长冷却时间可减少残余热应力。 相似文献
84.
采用具有单分散性、 平均粒径分别为(200±0.5) nm和(6.5±0.5) nm的Fe3O4纳米微球和CuFeS2纳米晶与生物质废弃物复合制备出Fe3O4/CuFeS2/生物质复合降解柱. 该降解柱能高效处理有机染料亚甲基蓝(MB)和罗丹明B(RhB), 降解率超过90%. CuFeS2中的Cu+能显著促进芬顿反应, 而Fe3O4较强的磁性有利于催化剂的回收. 更重要的是, 再生后的复合柱对有机染料的降解率没有明显降低, 仍可达90%以上. 此外, 该降解柱可充分利用生物质废弃物, 解决其回收利用的难题. 相似文献
85.
Within the framework of the effective-field theory with self-spin correlations
and the differential operator technique, the ground state magnetizations of
the biaxial crystal field spin system on the honeycomb lattices have been
studied. The influences of the biaxial crystal field on the magnetization in
the ground state have been investigated in detail. 相似文献
86.
报道了趋磁细菌WD-1生长和磁小体合成的最适条件。在pH6.7、28℃和静止培养条件下,每100mL含50~100mg柠檬酸或100~150mgα-酮戊二酸和20mg硫酸铵分别是WD-1生长的最适碳、氮源,碳氮比以5:1或4:1为好。每100mL含50mg柠檬酸、75~125mgα-酮戊二酸、75mg酒石酸或175mg乙酸钠,10mg硝酸钠或10~20mg硫酸铵,15μmol·L~(-1)三氯化铁或硫酸亚铁分别是磁小体合成的最适碳、氮和铁源。而1~3%的氧浓度是必需的。 相似文献
87.
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATION ON ANOMALOUS HALL EFFECT OF HETEROGENOUS SEMICONDUCTOR SAMPLES 下载免费PDF全文
Based on the theoretical results of inversion layers model and interpenetrating network model, we studied the anomalous Hall effect of heterogenous semiconductor samples, and obtained the following results: (1) the wider the sample energy gap, the higher the temper-ature at which anomalous Hall effect begins to appear; (2) the lower the sample resistivity, the higher the temperature at which anomalous Hall effect begins to appear, which is further verified in our experiment; (3) mobility is the main factor which determines what role p-n junction plays in sample Hall voltage; (4) for n-Ge sample with inversion layers structure, with the increase of p-type region, the Hall effect changes from normal n-type Hall effect to anomalous Hall effect of the single dip type, then to anomalous Hall effect of the second reversal type. 相似文献
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89.
90.